Эффект ШдГ и термоэлектрические свойства нитей Bi, легированных акцепторной примесью Sn
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
709 2
Ultima descărcare din IBN:
2019-03-14 15:54
SM ISO690:2012
НИКОЛАЕВА, Анна, KONOPKO, Leonid, БОДЮЛ, П., ПАРА, Георгий, БОТНАРЬ, Оксана. Эффект ШдГ и термоэлектрические свойства нитей Bi, легированных акцепторной примесью Sn. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 5, 20-23 mai 2015, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2015, Ed. 5, pp. 277-281. ISBN 978-9975-45-377-6.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Telecommunications, Electronics and Informatics
Ed. 5, 2015
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
5, Chișinău, Moldova, 20-23 mai 2015

Эффект ШдГ и термоэлектрические свойства нитей Bi, легированных акцепторной примесью Sn


Pag. 277-281

Николаева Анна12, Konopko Leonid12, Бодюл П.13, Пара Георгий1, Ботнарь Оксана1
 
1 Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу, АНМ,
2 Laboratorul internaţional de câmpuri magnetice puternice şi temperaturi joase al Institutului de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii “D.Ghiţu”,
3 Технический Университет Молдовы
 
 
Disponibil în IBN: 22 mai 2018


Rezumat

The influence of the acceptor impurity Sn on the manifestation of size effects in magnetoresistance, and thermopower of single-crystal Bi wires in a glass cover prepared the liquid phase casting with diameters ranging from 100 nm to 1 micron are presented. From the observed Shubnikov de Haas (SdH) oscillations the position of the Fermi level and carrier concentration was calculated. Power factor (Pf) depending on the dopant Sn, temperature and diameter of the wires was determined experimentally.

Cuvinte-cheie
термоэлектричество, легирование, размерные эффекты,

нити Bi, осцилляции Шубникова де Гааза, силовой фактор