Анализируются преимущества спекания высокопроводящей керамики ZnO, легированной донорными металлическими примесями, с участием химических транспортных реакций на основе HCl. Показана возможность многократного повешения проводимости и концентрации носителей тока в пленках ZnO, осажденных магнетронным распылением керамических мишеней. Этот эффект обусловлен стехиометрическим отклонения распыляемого материала и взаимодействием примесей металла и хлора.

The advantages of sintering highly conductive ZnO ceramics, doped with donor metal impurities, using HCl-based chemical transport reactions are analyzed. The possibility of a multiple increase in the conductivity and concentration of charge carriers in ZnO thin films, deposited by magnetron sputtering of the obtained ceramic targets, is shown. This effect is caused by the stoichiometric deviation of the sputtered material and the interaction of metallic impurities and chlorine