Articolul precedent |
Articolul urmator |
78 0 |
SM ISO690:2012 FIODOROV, Ion, IZVOREANU, Bartolomeu, CERCEL, Arcadie, BARANOV, Simion. Sistem informaţional de prelucrare şi înregistrare a parametrilor stratului epitaxial din GaAs. In: Microelectronics and Computer Science: The 6th International Conference, Ed. 6, 1-3 octombrie 2009, Chisinau. Bălți, Republica Moldova: Universitatea de Stat „Alecu Russo" din Bălţi, 2009, Ediţia 6, pp. 324-327. ISBN 978-9975-45-122-2. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Microelectronics and Computer Science Ediţia 6, 2009 |
||||||
Conferința "Microelectronics and Computer Science" 6, Chisinau, Moldova, 1-3 octombrie 2009 | ||||||
|
||||||
Pag. 324-327 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
În lucrare se prezintă un sistem informaţional destinat pentru măsurarea în regim automat a profilului de distribuţie a impurităţilor în adâncimea structurilor epitaxiale din arsenură de galiu, cu afişarea pe ecranul monitorului, înregistrarea în baza de date şi imprimarea parametrilor măsuraţi sub formă de blanc standard. În blanc sunt incluse următorele date: concentraţia purtătorilor de sarcină, grosimea stratului epitaxial, tensiunea de străpungere şi rezistenţa specifică. Măsurarea se efectuează în baza metodei caracteristicilor volt-faradice. |
||||||
Cuvinte-cheie strat epitaxial, metoda caracteristicilor volt-faradice (V-C), semiconductor, sarcină spaţială |
||||||
|