Sistem informaţional de prelucrare şi înregistrare a parametrilor stratului epitaxial din GaAs
Close
Articolul precedent
Articolul urmator
78 0
SM ISO690:2012
FIODOROV, Ion, IZVOREANU, Bartolomeu, CERCEL, Arcadie, BARANOV, Simion. Sistem informaţional de prelucrare şi înregistrare a parametrilor stratului epitaxial din GaAs. In: Microelectronics and Computer Science: The 6th International Conference, Ed. 6, 1-3 octombrie 2009, Chisinau. Bălți, Republica Moldova: Universitatea de Stat „Alecu Russo" din Bălţi, 2009, Ediţia 6, pp. 324-327. ISBN 978-9975-45-122-2.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Microelectronics and Computer Science
Ediţia 6, 2009
Conferința "Microelectronics and Computer Science"
6, Chisinau, Moldova, 1-3 octombrie 2009

Sistem informaţional de prelucrare şi înregistrare a parametrilor stratului epitaxial din GaAs


Pag. 324-327

Fiodorov Ion1, Izvoreanu Bartolomeu1, Cercel Arcadie1, Baranov Simion2
 
1 Universitatea Tehnică a Moldovei,
2 Centrul Ştiinţific şi Inginerie „Informinstrument“
 
 
Disponibil în IBN: 13 iulie 2023


Rezumat

În lucrare se prezintă un sistem informaţional destinat pentru măsurarea în regim automat a profilului de distribuţie a impurităţilor în adâncimea structurilor epitaxiale din arsenură de galiu, cu afişarea pe ecranul monitorului, înregistrarea în baza de date şi imprimarea parametrilor măsuraţi sub formă de blanc standard. În blanc sunt incluse următorele date: concentraţia purtătorilor de sarcină, grosimea stratului epitaxial, tensiunea de străpungere şi rezistenţa specifică. Măsurarea se efectuează în baza metodei caracteristicilor volt-faradice.

Cuvinte-cheie
strat epitaxial, metoda caracteristicilor volt-faradice (V-C), semiconductor, sarcină spaţială