Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale cristalelor CdXMnxTe
Close
Articolul precedent
Articolul urmator
229 0
SM ISO690:2012
VÎLCU, Natalia. Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale cristalelor CdXMnxTe. In: Conferinţa Internaţională a Tinerilor Cercetători, 11 noiembrie 2005, Chişinău. Chişinău: „Grafema Libris” SRL, 2005, p. 156. ISBN 9975-9716-1-X.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Conferinţa Internaţională a Tinerilor Cercetători 2005
Conferința "Conferinţa Internaţională a Tinerilor Cercetători"
Chişinău, Moldova, 11 noiembrie 2005

Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale cristalelor CdXMnxTe


Pag. 156-156

Vîlcu Natalia
 
Universitatea de Stat din Moldova
 
 
Disponibil în IBN: 8 iulie 2021


Rezumat

Un şir de soluţii solide pe baza CdTe-MnTe se referă la semiconductorii semimagnetici, proprietăţile magnetice ale cărora sunt deja cercetate destul de bine. Însă posibilitatea variaţiei lăţimii benzii interzise într-un interval larg de energii (de la 1,45eV pentru CdTe pînă la 2,2eV la 300 K pentru Cd0,5Mn0,5Te) permite folosirea acestora în energetica solară pentru fabricarea structurilor „tandem”. Creşterea monocristalelor Cd0.5Mn0.5Te a fost efectuată prin metoda Bridgmen, obţinînd conductibilitate de tip – p şi conductibilitatea destul de joasă 5*10-7 (Ω·cm)–1. La iluminare rezistenţa probelor s-a schimbat, dar nu mai mult de un ordin. Cu scopul măririi fotosensibilităţii cristalele de Cd0,5Mn0,5Te au fost supuse dopării cu cupru. Pentru aceasta la început din lingouri s-au tăiat plachete, care la rîndul lor au fost şlefuite şi poleite. Înlaturarea stratului deformat şi degresarea suprafeţelor s-a efectuat prin corodarea în soluţie de 90% HBr + 10% Br2. Prin evaporarea termică în vid pe plachete s-a depus stratul de cupru, după care a urmat coacerea termică a acestora la temperatura de 600oC în timp de 11 zile. În intervalul de temperaturi 80–350 K au fost cercetate dependenţele concentraţiei şi conductibilităţii de temperatură. Pentru formarea contactelor ohmice mai întîi din soluţia AuCl3 a fost depus aur, apoi indiu. Toate probele erau de tip–p. La temperatura camerei concentraţia a fost ~ 1016cm-3, conductibilitatea ~ 1*10–4(Ω·cm)–1. Deci, în rezultatul dopării conductibilitatea s-a mărit aproximativ cu trei ordine.S-a constatat, că forma dependenţelor concentraţiei şi conductibilităţii de temperatură are un caracter activant Aşa cu creşterea temperaturii pînă la 150K conductibilitatea creşte destul de slab, însă apoi se observă două domenii cu înclinări diferite de formă exponenţială. Din graficul lnσ*T-3/4(1000/T) au fost determinate energiile de activare egale cu 0,06eV şi 0,17eV, care indică existenţa nivelelor acceptoare în apropierea benzii de valenţă.Pe aceleaşi probe au fost cercetate spectrele de transparenţă şi de absorbţie. Coeficientul de absorbţie a luminii în domeniul benzilor fundamentale este de ordinul 104cm-1.

Cuvinte-cheie
Celulele solare, tratamentul termic, conductibilitatea, absorbţia