Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии
с многозарядными кластерами марганца

Бахадирханов М.; Исамов С.; Зикриллаев Н.; Арзикулов Э.

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

900

Ultima descărcare din IBN:
2023-05-13 17:56

SM ISO690:2012

БАХАДИРХАНОВ, М., ИСАМОВ, С., ЗИКРИЛЛАЕВ, Н., АРЗИКУЛОВ, Э.. Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца. In: Электронная обработка материалов, 2013, nr. 4(49), pp. 43-50. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 4(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца

Pag. 43-50

Бахадирханов М., Исамов С., Зикриллаев Н., Арзикулов Э.

Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни

Disponibil în IBN: 28 februarie 2014

Descarcă PDF

Rezumat

Обнаружен эффект самогашения фотопроводимости в кремнии с многократно заряженными нанокластерами атомов марганца в области h = 0,4÷0,5 эВ. Особенность наблюдаемого явления – это гашение ФП при полном отсутствии фонового или собственного света, только при наличии ИК-излучения. Природа такого типа гашения ФП объясняется туннелированием электронов с уровня кластера и их рекомбинацией с дырками.

В работе исследованы температурные зависимости электрической проводимости, концентрации свободных носителей и подвижности в монокристаллических образцах PbTe:Gd с примесями в различной кон- центрации. Наблюдаемые особенности, обнаруженные в результате измерения коэффициента Зеебека, состоят в существенном увеличении коэффициента термоэлектрической мощности. Измерения магнитной восприимчивости при низких температурах позволяют предположить, что ионы гадолиния могут находиться в различных зарядовых состояниях.

Cuvinte-cheie
кремний,

многозарядный нанокластер, самогашениe фотопроводимости, марганец, туннeлирование

Dublin Core Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'>
<dc:creator>Bahadirhanov, M.C.</dc:creator>
<dc:creator>Isamov, S.B.</dc:creator>
<dc:creator>Zicrillaev, N.F.</dc:creator>
<dc:creator>Arziculov, E.U.</dc:creator>
<dc:date>2013-07-01</dc:date>
<dc:description xml:lang='ru'>Обнаружен эффект самогашения фотопроводимости в кремнии с многократно заряженными нанокластерами атомов марганца в области h = 0,4÷0,5 эВ. Особенность наблюдаемого явления – это гашение ФП при полном отсутствии фонового или собственного света, только при
наличии ИК-излучения. Природа такого типа гашения ФП объясняется туннелированием электронов с уровня кластера и их рекомбинацией с дырками.</dc:description>
<dc:description xml:lang='ru'>В работе исследованы температурные зависимости электрической проводимости, концентрации свободных носителей и подвижности в монокристаллических образцах PbTe:Gd с примесями в различной кон-
центрации. Наблюдаемые особенности, обнаруженные в результате измерения коэффициента Зеебека, состоят в существенном увеличении коэффициента термоэлектрической мощности. Измерения магнитной
восприимчивости при низких температурах позволяют предположить, что ионы гадолиния могут находиться в различных зарядовых состояниях.</dc:description>
<dc:source>Электронная обработка материалов 49 (4) 43-50</dc:source>
<dc:subject>кремний</dc:subject>
<dc:subject>многозарядный нанокластер</dc:subject>
<dc:subject>самогашениe фотопроводимости</dc:subject>
<dc:subject>марганец</dc:subject>
<dc:subject>туннeлирование</dc:subject>
<dc:title>Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии
с многозарядными кластерами марганца</dc:title>
<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
</oai_dc:dc>