Structurile MOS au fost obţinute folosind ca suporturi plăcuţe monocristaline de ZnSe orientate în direcţia [110] cu grosimea 3-5mm. Monocristalele de ZnSe au fost tratate în zinc 0,1%Al la 950ºC timp de 100 ore, în vid. Concentraţia electronilor la 300 K este de 1,851016cm-3, iar mobilitatea – 466 cm2/VS. În calitate de oxid s-au folosit straturi subţiri de ZnO, obţinute prin tratarea cristalelor de ZnSe în apă oxigenată. Grosimea stratului de ZnO depinde de timpul de tratare chimică şi alcătuieşte 4-13 nm. Contactul metalic, strat subţire din Pd, a fost obţinut prin evaporare termică în vid. Ca contact ohmic la cristalele de ZnSe s-a folosit In obţinut prin tratare în aer la 370ºC timp de 30-120 sec.La polarizări directe, curentul depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi, la tensiuni de până la 0,7 V, e determinat de curentul de tunelare, iar mai mare de 0,7 V – de procesele de recombinare. Factorul de idealitate variază de la 2,86 – la 93 K la 1,47 – la 333 K. Potenţialul de difuzie variază între 0,8 V şi 1,28 V, corespunzător la 353 K şi 113 K. La polarizarea inversă este o funcţie de putere şi are factorul de putere 3,93 la 113 K şi de 2,42 la 353 K. La polarizări directe 2÷3 V şi T=77 K structurile Pd-ZnO-ZnSe radiază în regiunea albastră. La 77 K se observă două fâşii: prima mai intensivă, cu maximul 2,7 eV, şi alta – cu maximul 2,06 eV.