Sistem de control automat a parametrilor stratului epitaxial din GaAs
Закрыть
Articolul precedent
Articolul urmator
142 0
SM ISO690:2012
CERCEL, Arcadie, IZVOREANU, Bartolomeu, FIODOROV, Ion, BARANOV, Simion. Sistem de control automat a parametrilor stratului epitaxial din GaAs. In: Microelectronics and Computer Science: The 6th International Conference, Ed. 6, 1-3 octombrie 2009, Chisinau. Bălți, Republica Moldova: Universitatea de Stat „Alecu Russo" din Bălţi, 2009, Ediţia 6, pp. 382-385. ISBN 978-9975-45-122-2.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Microelectronics and Computer Science
Ediţia 6, 2009
Conferința "Microelectronics and Computer Science"
6, Chisinau, Moldova, 1-3 octombrie 2009

Sistem de control automat a parametrilor stratului epitaxial din GaAs


Pag. 382-385

Cercel Arcadie1, Izvoreanu Bartolomeu1, Fiodorov Ion1, Baranov Simion2
 
1 Universitatea Tehnică a Moldovei,
2 Centrul Ştiinţific şi Inginerie „Informinstrument“
 
 
Disponibil în IBN: 14 iulie 2023


Rezumat

În lucrarea de faţă se prezintă un dispozitiv de comandă şi achiziţie de date pentru aparatul de măsură E7-12, ce permite racordarea acestuia la calculatorul personal. Scopul urmărit a fost automatizarea măsurărilor necesare pentru determinarea parametrilor stratului epitaxial din arseniură de galiu. Obţinerea parametrilor stratului epitaxial se face prin metoda volt-faradică. Dispozitivul setează tensiunea de polarizare cu pasul 0.1 V în intervalul 0-1 V şi cu pasul 1 V în intervalul 1-40 V. Pentru fiecare din aceste valori ale tensiunii, dispozitivul va cere de la aparatul de măsură valoarea capacităţii C şi a tangentei unghiului de pierderi D. Aceste valori vor fi trimise în calculator, va fi construită caracteristica volt-faradică şi vor fi determinaţi parametrii stratului epitaxial: concentraţia purtătorilor de sarcină, grosimea stratului, tensiunea de străpungere. Pentru a putea comunica cu aparatul de măsură a fost necesară implementarea protocolului GPIB (General Purpose Interface Bus). La baza dispozitivului proiectat se află un microcontrolor AVR – Atmega8.

Cuvinte-cheie
automatizarea măsurărilor, aparat de măsură E7-12, metoda volt-faradică, protocolul GPIB (IEEE-488), parametrii stratului epitaxial

Dublin Core Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'>
<dc:creator>Cercel, A.</dc:creator>
<dc:creator>Izvoreanu, B.A.</dc:creator>
<dc:creator>Fiodorov, I.P.</dc:creator>
<dc:creator>Baranov, S.</dc:creator>
<dc:date>2009</dc:date>
<dc:description xml:lang='ro'><p>&Icirc;n lucrarea de faţă se prezintă un dispozitiv de comandă şi achiziţie de date pentru aparatul de măsură E7-12, ce permite racordarea acestuia la calculatorul personal. Scopul urmărit a fost automatizarea măsurărilor necesare pentru determinarea parametrilor stratului epitaxial din arseniură de galiu. Obţinerea parametrilor stratului epitaxial se face prin metoda volt-faradică. Dispozitivul setează tensiunea de polarizare cu pasul 0.1 V &icirc;n intervalul 0-1 V şi cu pasul 1 V &icirc;n intervalul 1-40 V. Pentru fiecare din aceste valori ale tensiunii, dispozitivul va cere de la aparatul de măsură valoarea capacităţii C şi a tangentei unghiului de pierderi D. Aceste valori vor fi trimise &icirc;n calculator, va fi construită caracteristica volt-faradică şi vor fi determinaţi parametrii stratului epitaxial: concentraţia purtătorilor de sarcină, grosimea stratului, tensiunea de străpungere. Pentru a putea comunica cu aparatul de măsură a fost necesară implementarea protocolului GPIB (General Purpose Interface Bus). La baza dispozitivului proiectat se află un microcontrolor AVR &ndash; Atmega8.</p></dc:description>
<dc:source>Microelectronics and Computer Science (Ediţia 6) 382-385</dc:source>
<dc:subject>automatizarea măsurărilor</dc:subject>
<dc:subject>aparat de măsură E7-12</dc:subject>
<dc:subject>metoda volt-faradică</dc:subject>
<dc:subject>protocolul GPIB (IEEE-488)</dc:subject>
<dc:subject>parametrii stratului epitaxial</dc:subject>
<dc:title>Sistem de control automat a parametrilor stratului epitaxial din GaAs</dc:title>
<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
</oai_dc:dc>