Данная работа посвящена исследованию экситонных состояний в Si квантовых точках (КТ) различной формы, помещенных в диэлектрическую матрицу SiO2, а также изучению причин уширения полосы фотолюминесценции данных КТ, полученной экспериментально [1]. В рамках теории эффективных масс были проведены расчеты по нахождению электронных и дырочных спектров. Для получения более точных результатов был использован 3-хзонный дырочный гамильтониан [2, 3]: formulaЭкситонная энергия была посчитана в рамках 1-го приближения теории возмущений. Энергия связи экситона была вычислена, с учетом различия между диэлектрическими проницаемостями квантовой точки и среды. Согласно полученным результатам, наименьшую экситонную энергию имеют квантовые точки сферической формы. Теоретически уширение люминесцентной полосы было посчитано с использованием гауссовского распределения, и сделано заключение, что этот эффект объясняется не только вариацией размеров, а также флуктуацией форм квантовых точек, в частности слиянием отдельных сферических квантовых точек в двойные.