Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
828 4 |
Ultima descărcare din IBN: 2017-02-02 10:12 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315+548.552+546.28 (1) |
Электротехника (1155) |
Кристаллография (54) |
Неорганическая химия (450) |
SM ISO690:2012 НУРИЕВ, и., МАМИШОВА, Р., ГАДЖИЕВА, Н., РАМАЗАНОВ, М., САДЫГОВ, Р.. Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe. In: Электронная обработка материалов, 2013, nr. 1(49), pp. 48-53. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 1(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.315+548.552+546.28 | ||||||
Pag. 48-53 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок n- и p-типов селенида марганца свинца (Pb1-xMnxSe (x = 0,01)) на подложках фторида брия ориентации (111) в исходном состоянии и после воздействия гамма-облучения. Показано, что модификация рельефа поверхности происходит в области поглощенной дозы 5≤D≤35 кГр. На основе особенностей поверхностных структур установлена инверсия pn переходов при значениях 10≤D≤25 кГр, что подтверждается электрофизическими измерениями. Выявлено, что выше 35 кГр нарушается радиационная стойкость этих пленок. |
||||||
|