По экспериментальным спектрам комбинационного рассеивания (КРС) открыты стоячие экситоны Высикайло в области внедрения в кристаллическую решётку инородного атома и предложен способ определения профилей ε(r) в волновых ε-структурах с шагом Δr ≈ 0,529ε(r) (n-1/4)/Z, где Z – заряд, локализованный в наноструктуре; n – главное квантовое число, формирующейся на структуре квантовой точки (КТ). На основе кумулятивной квантовой механики (ККМ) в легированных кристаллах описывается: 1) расщепление уровня с главным квантовым числом n на два (с энергией расщепления ΔEn-½,n ~ n-¼ в случае потенциального барьера и с ΔEn-½,n = 13,56(((εn-1/2(r)(n-1/2))-2-(εn(r)n)-2) эВ в случае потенциальной ямы с профилированным ε(r); 2) известные в литературе КРС полых водородоподобных КТ, формирующих мерцающие или возбуждённые микро- или нанокристаллы, в любых опорных кристаллах, легированных примесями, замещающими атомы в кристаллической решётке. При облучении легированного кристалла резонансным излучением КТ переходят в возбужденные состояния и их электронные оболочки перекрываются, формируя возбуждённый (мерцающий) кристалл металлического (водородного) типа в матрице опорного кристалла. Предлагается способ изготовления макроскопического твёрдого кристалла с заданной концентрацией КТ и соответствующим главным числом n, определяющим степень возбуждения мерцающего кристалла (сверхрешётки) внутри опорного кристалла.

Based on the experimental data of Raman spectra, in doped crystals, when foreign atoms are introduced into the crystal lattice, the standing Vysikaylo excitons have been discovered. The method is proposed so as to determine profiles ε(r) in the ε-wave structures, with the step Δr ≈ 0.529ε(r)(n-1/4)/Z, where Z is the charge localized in the nanostructure; n – the principal quantum number for the emerging structure of a quantum dot (QD). Applying cumulative quantum mechanics (CQM), it is possible to describe the following in doped crystals: 1) the splitting (in two) of the level with the principal quantum number n (with the splitting energy ΔEn-½,n ~ n-¼ in the case of a potential barrier, and ΔEn-½,n = 13.56(((εn-1/2(r)(n-1/2))-2- (εn(r)n)-2) eV in the case of the potential well with a profiled ε(r), and 2) all known in the literature Raman spectra of the hollow hydrogenic QDs, forming flickering or excited micro- or nano-crystals in any reference crystals doped with impurities that substitute atoms in the crystal lattice. When a doped crystal is irradiated by the resonant radiation, QDs pass into the excited state and their electron shells overlap, thus forming an excited (flickering) metal (hydrogenic) crystal in the matrix of the reference crystal. A method is proposed for manufacturing a macroscopic solid crystal with the required concentration of QDs and the respective principal number n, describing the degree of excitation of the excited (flickering) crystal (superlattice) inside the reference crystal.