Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
786 5 |
Ultima descărcare din IBN: 2021-04-29 11:29 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
538.9 (350) |
Физика конденсированного состояния (жидкое и твердое состояние) (349) |
SM ISO690:2012 POPA, Mihail, RUSU, Gheorghe Ioan. Creşterea epitaxială din fază de vapori
a staturilor subţiri de ZnSe. In: Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente, 2008, nr. 1, pp. 20-24. ISSN 1857-0437. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente | ||||||
Numărul 1 / 2008 / ISSN 1857-0437 | ||||||
|
||||||
CZU: 538.9 | ||||||
Pag. 20-24 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică. |
||||||
|
DataCite XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'> <creators> <creator> <creatorName>Popa, M.E.</creatorName> <affiliation>Universitatea de Stat „Alecu Russo” din Bălţi, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Rusu, G.</creatorName> <affiliation>Universitatea "Alexandru Ioan Cuza", Iaşi, România</affiliation> </creator> </creators> <titles> <title xml:lang='ro'>Creşterea epitaxială din fază de vapori a staturilor subţiri de ZnSe</title> </titles> <publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher> <publicationYear>2008</publicationYear> <relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>1857-0437</relatedIdentifier> <subjects> <subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>538.9</subject> </subjects> <dates> <date dateType='Issued'>2008-01-01</date> </dates> <resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType> <descriptions> <description xml:lang='ro' descriptionType='Abstract'>Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică.</description> <description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'>ZnSe thin films have been grown epitaxially on GaAs and sapphire substrates in an opentube system by the reaction of Zn vapors with the H2Se nonmetalic hybride gas. The influence of substrate temperature in controlling stoichiometry and polymorphism of thin films have been analised. The microphotographs TEM indicate that obtained films have a polycrystalline structure, are compacted and have a small roughness.</description> </descriptions> <formats> <format>application/pdf</format> </formats> </resource>