Электронная структура некоторых бис-хелатов Pd(II), Pt-(II)
Закрыть
Articolul precedent
Articolul urmator
478 0
SM ISO690:2012
КОРОЧЕНЦЕВ, В., УСТИНОВ, А., ВОВНА, В.. Электронная структура некоторых бис-хелатов Pd(II), Pt-(II). In: Чугаевская конференция по координационной химии, 20-24 iunie 2005, Chişinău. Chișinău, Republica Moldova: Tipografia Academiei de Ştiinţe a Moldovei, 2005, Ed.22, pp. 387-388.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Чугаевская конференция по координационной химии
Ed.22, 2005
Conferința "Чугаевская конференция по координационной химии"
Chişinău, Moldova, 20-24 iunie 2005

Электронная структура некоторых бис-хелатов Pd(II), Pt-(II)


Pag. 387-388

Короченцев В., Устинов А., Вовна В.
 
Дальневосточный федеральный университет
 
 
Disponibil în IBN: 2 iunie 2020



Teza

Методами квантовой химии (ab initio (базис TZV)) c учетом и без учета
конфигурационного взаимодействия исследована электронная структура
бис-β-дикетонатов Pd(II), Pt(II) и их тио- и дитио- аналогов. Установлено
соответствие между экспериментальными фотоэлектронными спектрами
данных соединений и теоретическими результатами. Установлена природа
верхних молекулярных орбиталей (МО), закономерности тио- и дитио-за-
мещения. Оценен вклад электронных конфигураций в основные электрон-
ные состояния.
Лигандные орбитали имеют заметный вклад d-АО металла соответ-
ствующей симметрии. В частности, для Pd(acac)2 в орбиталь 3(b3g) вклад
dxz орбитали Pd составляет ~10%, в n+(ag)-орбиталь вклад dx2-y2 орбитали
металла составляет около 20%.
Согласно результатам расчетов электронной структуры и последова-
тельности орбиталей комплексов палладия и платины с учетом конфигу-
рационного взаимодействия, учитывающего корреляционные и релакса-
ционные процессы, электронные состояния ионизованных комплексов ха-
рактеризуются вкладами нескольких конфигураций с преимущественным
вкладом одной из них (табл.1).

Табл.1. Вклад конфигураций в ионизованные состояний бис-β-дикето-
натов Pd(II) (%).

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант №04-03-
33168).