Baranov Simion 
Cuvinte-cheie (32): gallium arsenide (3), Hydride Vapor Phase Epitaxy (2), parametrii stratului epitaxial (1)
Brevete  | |||
| Dinamica numărului de publicaţii pe ani |  |  | |
| Dinamica articolelor pe ani |  | ||
| Distribuirea numărului de pagini publicate pe categorii de reviste și ani | | ||
| Distribuirea articolelor pe domenii şi ani | |  | |
| Colaborarea autorului |  |  | |
| Dinamica descărcărilor pe ani | | ||
- 4. Articole în reviste de peste hotare
- 4.3.Articole în alte reviste științifice de peste hotare - 1
- 5. Publicaţii la manifestări din RM
- 5.3.Publicații la alte manifestări din RM - 5
- 6. Publicații la manifestări științifice de peste hotare
- 6.2.Publicații la manifestări științifice indexate în Scopus - 2
- 6.3.Alte publicații la manifestări științifice de peste hotare - 1
| Automatic Control Quality of the Alloying Process at the Epitaxial Semiconductor Structure Growth |
Baranov Simion1 , Fiodorov Ion2  , Cojuhari Irina2 , Izvoreanu Bartolomeu2 , Gorceac Leonid3 , Gashin Peter A.3 |
| 1 Scientific and Engineering Center „Informinstrument“ , 2 Technical University of Moldova, 3 Moldova State University |
| Analele Universitatii din Craiova - Seria Inginerie electrica |
| Nr. 1(37) / 2013 / ISSN 1842-4805 |
| Disponibil online 8 June, 2023. Descarcări-0. Vizualizări-148 |
