Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
835 1 |
SM ISO690:2012 ГАСАНЛЫ, Ш., АБДУРРАГИМОВ, А., САМЕДОВА, У.. Электрические и термоэлектрические свойства
халькопирита на основе CuInSe2. In: Электронная обработка материалов, 2012, nr. 5(48), pp. 74-79. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 5(48) / 2012 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
Pag. 74-79 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Установлено, что халькопирит CuInSe2 является полупроводником примесного типа с более сложной зависимостью электропроводности от температуры, нежели у обычных примесных полупроводников. Такая температурная зависимость электропроводности обусловливается сложной структурой энергетического спектра электронов в этих кристаллах. Из температурной зависимости электропроводности определены значения энергий активации энергетических уровней собственных дефектов, которые образуются при нарушении стехиометрического состава структуры CuInSe2. Из анализа температурной зависимости термоэдс установлено, что при высоких температурах основным механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах. |
||||||
|