Homojoncţiunea p -p--n InP cu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In-PCl3-H2 (p-InP, n InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescut cu două ordine, iar eficienţa CS este de 12% pentru homostructura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.

p -p--n InP homo-junction with or without nCdS frontal layer was obtained by gaseous phase epitaxy method in a In-PCl3-H2 (p-InP, n InP) system and by quasi-closed volume method (nCdS). From the studies of electrical and photoelectrical properties of these structures it has been established that their photo-sensitivity increases by two orders of magnitude and the SC efficiency is of 12% for the homo-structure with nCdS frontal layer, due to the diminishing of minority charge carriers surface recombination and the peculiarities of electrical and photo-electrical properties of these structures.