Knowledge of the physics properties of Gallium Antimonide (GaSb) is important because of the increasing application of GaSb in many optical and electronics applications. X-ray diffraction and electron micrographic analyses showed that GaSb‹Fe› and GaSb‹Mn› eutectic composites doped with 0.1% and 2,0% Fe atoms are perfective. The density of inclusion in GaSb‹Fe› composites increased about two times than undoped samples. Iron-doped gallium antimony thin films at concentrations in the range (0.1÷2.0) atomic% were obtained by laser ablation.

Cunoașterea proprietăților fizice ale antimonidului de galiu (GaSb) este importantă datorită implementării crescânde a GaSb în multe aplicații optice și electronice. Difracția cu raze X și analizele micrografice electronice au arătat că compozitele eutectice GaSb ‹Fe› și GaSb ‹Mn› dopate cu 0,1% și 2,0% atomi de Fe sunt perfective. Densitatea incluziunii în compozitele GaSb ‹Fe› a crescut de aproximativ două ori decât în mostrele nedopate. Pelicule subțiri de antimoniu de galiu dopate cu fier la concentrații în intervalul (0,1 ÷ 2,0) % atomare, au fost obținute prin ablație laser.