Oxidul de zinc posedă concentraţie înaltă a defectelor proprii: vacansii de oxigen şi atomi internodali ai zincului, care duc la posibilitatea de schimbare a proprietăţilor optice ș.a. proprietăți.  Ridicarea spectrelor de FL (foto luminiscență) a probelor de ZnO indică o intensitate înaltă a luminescenței. FL în apropierea benzii interzise la temperaturi joase este dominată de emisia benzii donorului legat (DoX) cu energia de 3,353 eV si 3,363 eV, precum și de o bandă de emisie cu o replică fononică LO. O bandă similară a fost atribuită anterior perechii de recombinare donor-acceptor (DA). Cel mai probabil, un donor de suprafață și un acceptor adânc sunt implicați în această tranziție DA. La temperatura camerei se observă o bandă a FL cu vârful la 3,28 eV, care se suprapune cu replica fononică. Se poate sugera că această bandă se datorează tranzițiilor free-to-bound (FB), care implică același acceptor ce a fost implicat în tranziția DA la temperatura joasă. O altă bandă cu maximul la 2.6 eV este cel mai probabil cauzată de centrul acceptor al vacansiei de zinc VZn. Vacansia de zinc este de așteptat să aibă o sarcina -2 în ZnO de tip n, în care formarea sa este mai favorabilă. Nivelul de energie al sarcinii -1/-2 responsabil de VZn apare la aproximativ 0,8 eV deasupra benzii de valență. Astfel, se poate aștepta că tranziția din banda de conducție pe acceptor VZn va duce la o bandă de emisie cu maximul la aproximativ 2,6 eV in ZnO cu conductivitate n.