ZnO este un material semiconductor şi piezoelectric important cu banda largă de 3,37 eV şi o energie mare de legatură a excitonilor de 60 meV, ce posedă un potenţial înalt pentru aplicaţii în dispozitive cu emisie de cîmp, optoelectronică, electronică transparentă, sensori etc. La obţinerea ZnO din faza de vapori a fost utilizat acetil acetonatul de zinc (Zn(C5H7O2)2 · H2O) ca sursă de zinc. Încalitate de suport, sa folosit siliciu (Si), cuarţ. Temperatura suportului a fost menţinută la tsup. = 480-550°C, iar temperatura precursorului (acetil acetonat de zinc) la tprec. = 125 °C. Pentru depunerea oxidului de zinc prin metoda aerosol, a fost utilizată soluţia chimică de acetat de zinc dihidrat (Zn(O2CCH3)2 · (H2O)2), dizolvat în dimetilformamidă (DMF) supus tratamentului într-o baie ultrasonică, la temperatura de 55-60°C. Pulverizarea s-a efectuat dintr-un volum de soluţie de Vsol = 3–6 ml, care putea fi împrăştiată pe suport într–un interval de timp t = 8–12 min, prin intermediul unui motor pas cu pas conectat la calculator printr-un procesor, dirijînd cu viteza de depunere. Prin aplicarea microscopului electronic de scanare (SEM) s-a studiat morfologia straturilor depuse. În funcţie de parametrii procesului tehnologic şi metodei aplicate, morfologia filmelor se modifică. S-a stabilit că morfologia filmelor este constituită dinnanorodurila depunerea filmelor din faza de vapori. Diametrul şi înălţimea nanorodurilor descresc la micşorarea fluxului gazului purtător, în timp ce calitatea optică creşte. Filme planare de ZnO uniforme după grosime variind între 400–600 nm, se obţin prin metoda împrăştierii aerosol a soluţiilor chimice. La grosimi mici a filmelor se evidenţiază (în secţiune) şi nanoroduri de dimensiuni mai mici.Din analiza spectrelor de împrăştiere Raman s-a stabilit că se evidenţiază un maxim de împrăştiere la 437 cm-1 care corespunde modei E2(high) afazei wurtzite aoxidului de zinc. Pe lîngă aceasta, în spectrele Raman mai poate fi observat un vîrf la 331 cm-1legat cu procese Raman de ordinul doi, cu implicarea fononilor acustici înoxidul de zinc, dar este mai mic faţă demaximul modei E2(high).Predominarea modului E2demonstrează o creştere puternic orientată a nanorodurilor de ZnO de-a lungul axei optice. Fotoluminescenţa la temperaturi joase este dominată de emisia datorată excitonilor legaţi pe donorii neutri (D0X), în timp ce emisiile datorate tranziţiilor donor-acceptor (DA) şi celor din banda de conducţie în banda interzisă (free-to-bound–FB) sunt cel puţin cu un ordin mai slabe. Posibilitatea obţinerii filmelor cu morfologia compusă din nanoroduri, ne demonstrează creşterea unor nanoroduri de ZnO aliniaţi vertical de o calitate optică înaltă printr-un proces din faza de vapori. La fel, s-a constatat faptul că prin metoda aerosol fiind la un preţ mai redus, pot fi obţinute structuri optic calitative într-un interval de timp mai scurt.