Articolul precedent |
Articolul urmator |
680 1 |
Ultima descărcare din IBN: 2018-10-02 16:13 |
SM ISO690:2012 КОРОВАЙ, А, МАНГИР, А., HADJI, Piotr. Пропускание ультракоротких импульсов лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, Ed. 6, pp. 80-84. ISBN 978-9975-45-540-4. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Telecommunications, Electronics and Informatics Ed. 6, 2018 |
||||||
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics" 6, Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018 | ||||||
|
||||||
Pag. 80-84 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Рассмотрена задача нестационарного пропускания двух падающих на тонкую пленку ультракоротких импульсов лазерного излучения. Один из падающих импульсов находится в резонансе с двухфотонным переходом из основного состояния кристалла в биэкситонное, тогда как другой когерентно смешивает экситонное и биэкситонное состояния. Исследовано влияние амплитуд и ширин падающих импульсов на особенности их пропускания пленкой. Предсказан эффект существенной временной задержки в генерации проходящего через пленку импульса относительно падающего. Доказана возможность генерации прекурсора, т.е. импульса, проходящего через пленку раньше, чем пик падающего импульса достигнет пленки, а также возможность генерации отраженного импульса в отсутствии падающего. |
||||||
|