Излагаются результаты исследования температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрической потери композиций ПВДФ TlInS2 и ПВДФ TlInS2 Al в частотном 10–105 Гц и температурном 20–150C интервалах, а также влияния алюминиевой наночастицы размерами 50 нм на диэлектрические свойства композиционных материалов ПВДФ xоб.%TlInS2. Выявлено, что увеличение процентного содержания наполнителя TlInS2 в матрице приводит к росту диэлектрической проницаемости и диэлектрической потери этих материалов. Увеличение объема композитов ПВДФ xоб.%TlInS2 yоб.%Al наблюдается и с ростом содержания алюминиевой наночастицы в составе композита, приводящим к изменению объемной поляризации Максвелла-Вагнера. Под влиянием алюминиевой наночастицы характер частотной дисперсии диэлектрической потери исследованных композитов существенно изменяется.