Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
853 7
Ultima descărcare din IBN:
2023-05-13 17:56
SM ISO690:2012
БАХАДИРХАНОВ, М., ИСАМОВ, С., ЗИКРИЛЛАЕВ, Н., АРЗИКУЛОВ, Э.. Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца. In: Электронная обработка материалов, 2013, nr. 4(49), pp. 43-50. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 4(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца

Pag. 43-50

Бахадирханов М., Исамов С., Зикриллаев Н., Арзикулов Э.
 
Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни
 
 
Disponibil în IBN: 28 februarie 2014


Rezumat

Обнаружен эффект самогашения фотопроводимости в кремнии с многократно заряженными нанокластерами атомов марганца в области h = 0,4÷0,5 эВ. Особенность наблюдаемого явления – это гашение ФП при полном отсутствии фонового или собственного света, только при наличии ИК-излучения. Природа такого типа гашения ФП объясняется туннелированием электронов с уровня кластера и их рекомбинацией с дырками.

В работе исследованы температурные зависимости электрической проводимости, концентрации свободных носителей и подвижности в монокристаллических образцах PbTe:Gd с примесями в различной кон- центрации. Наблюдаемые особенности, обнаруженные в результате измерения коэффициента Зеебека, состоят в существенном увеличении коэффициента термоэлектрической мощности. Измерения магнитной восприимчивости при низких температурах позволяют предположить, что ионы гадолиния могут находиться в различных зарядовых состояниях.

Cuvinte-cheie
кремний,

многозарядный нанокластер, самогашениe фотопроводимости, марганец, туннeлирование