Установлено, что халькопирит CuInSe2 является полупроводником примесного типа с более сложной зависимостью электропроводности от температуры, нежели у обычных примесных полупроводников. Такая температурная зависимость электропроводности обусловливается сложной структурой энергетического спектра электронов в этих кристаллах. Из температурной зависимости электропроводности определены значения энергий активации энергетических уровней собственных дефектов, которые образуются при нарушении стехиометрического состава структуры CuInSe2. Из анализа температурной зависимости термоэдс установлено, что при высоких температурах основным механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах.

It has been established that the CuInSe2 chalcopyrite is a semiconductor of the impurity type with a more complicated dependence of conductivity on temperature than ordinary impure semiconductors. Such a temperature dependence of electrical conductivity is due to the complex structure of the energy spectrum of electrons in these crystals. The values of energies of the activation of their intrinsic energy defects, formed by the violation of CuInSe2 stoichiometry, have been calculated from the temperature dependence of electrical conductivity. The analysis of temperature dependence of the thermal e.m.f. has revealed that the main scattering mechanism is the scattering on acoustic phonons.