Captarea şi difuzia oxigenului în cristalite de GA2S3
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
256 0
SM ISO690:2012
UNTILA, Dumitru. Captarea şi difuzia oxigenului în cristalite de GA2S3. In: Interuniversitaria, 29 octombrie 2012, Bălți. Bălți, Republica Moldova: Universitatea de Stat „Alecu Russo" din Bălţi, 2012, Ediția 07, Vol.1, pp. 50-52. ISBN 978-9975-50-061-6.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Interuniversitaria
Ediția 07, Vol.1, 2012
Colocviul "Interuniversitaria"
Bălți, Moldova, 29 octombrie 2012

Captarea şi difuzia oxigenului în cristalite de GA2S3


Pag. 50-52

Untila Dumitru
 
Universitatea de Stat din Moldova
 
Disponibil în IBN: 17 iunie 2021


Rezumat

În lucrare este studiată dinamica de captare şi difuzie a oxigenului în cristalite de Ga2S3, în funcţie de dimensiunea cristalitelor şi durata tratamentului termic la temperatura ~430oC, în atmosferă normală. Pulberile în formă de micro şi nanolamele au fost obţinute prin dispersare mecanică a monocristalului masiv de Ga2S3 crescut prin transport în vapori de I2. Pe suprafaţa naturală a cristalitelor, prin proces tehnologic dirijat, a fost crescut oxidul de galiu. A fost observată creşterea capacităţii de captare şi difuzie datorată sporirii raportului suprafaţă/grosime. Spectrele de reflexie difuză au fost ridicate cu ajutorul spectrometrului Jasco FT/IR-6300R, cu o rezoluţie de 4 cm-1, în domeniul spectral (100÷600) cm-1.

Oxygen capture and diffusion dynamics in Ga2S3 crystallites is studied as a function of crystallites dimension and heat treatment duration at ~430oC temperature, at normal atmosphere. Micro and nano powders was obtained by mechanical dispersion of masssif Ga2S3 monocrystal, grown by I2 vapor transport method. Gallium oxyde was grown on crystallite natural surface, through controlled technological process. Increased capture and diffusion capacity was observed due to increasing surface/thickness ratio. Diffuse reflectance spectra was registred by Jasco FT/IR-6300R spectrometer, with an 4 cm-1 resolution, in (100÷600) cm-1 spectral domain.

Cuvinte-cheie
semiconductor Ga2S3, oxid de galiu, tratament termic, intercalare, dispersare mecanică, cristalite, spectroscopie FTIR, spectroscopie XRD, captarea şi difuzia oxigenului,

Ga2S3 semiconductor, gallium oxyde, Heat treatment, intercalation, mechanical dispersion, Crystallites, FTIR spectroscopy, XRD spectroscopy, oxygen capture and diffusion