The temperature dependence of the electrical conductivity of ZnSxSe1-x thin layers was studied during a heat treatment consisting of a series of successive heating and cooling in the temperature range 300 - 500K. Measurements have shown that the thermal activation energy of the low temperatures (ΔE1 = 0.13 – 0.43 eV) is much smaller than the thermal activation energy in temperature (ΔE2 = 0.43 – 1.89 eV). In both fields of measurements the thermal activation energy increases with increasing of sulfur content of the thin layers. It has been found that at low temperatures in respective layers the dominant mechanism of electrical conduction is Mott type conduction.

Dintre parametrii caracteristici ai materialelor semiconductoare, un interes special prezintă conductivitatea electrică. Măsurarea conductivităţii electrice a straturilor subţiri semiconductoare constituie o problemă deosebit de dificilă, deoarece depinde de o serie de factori ale căror acţiuni nu pot fi separate şi anume forma şi dimensiunile eşantionului, valoarea tensiunii electrice aplicate, temperatura, presiunea, natura materialului din care sunt confecţionaţi electrozii, natura şi presiunea gazului din incinta de măsurare, etc. Articolul respectiv îşi propune scopul de a prezenta unele rezultate experimentale cu privire la dependenţa de temperatură a conductivităţii electrice ale straturilor subţiri semiconductoare de ZnSxSe1-x. Pentru explicarea valorilor mici ale energiei de activare termică a conducţiei electrice ne propunem să examinăm valabilitatea modelului Mott în aceste straturi extrem de rezistive.