Материалы А3В6 являются типичными представителями слоистых соединений и широко используются в промышленной электронике [1]. Монокристаллический кремний ориентации n-Si(100) и n-Si(111) отличается площадью элементарных ячеек, числом атомов на площадь элементарной ячейки, числом свободных связей на площадь элементарной ячейки, поверхностной плотностью атомов, поверхностной плотностью свободных связей [2]. В структурах с ориентацией подложки (100) плотность поверхностных состояний оказывается приблизительно на порядок меньшая, чем в структурах с ориентацией (111). Этот факт коррелирует с числом свободных связей на соответствующих атомных плоскостях кремния. Поверхность (111) характеризуется большим числом свободных связей на квадратный сантиметр, чем поверхность (100). Кроме того, скорость окисления поверхности (100) также будет меньшей. Плотность состояний также зависит от ориентации. Учитывая вышесказанное, в зависимости от ориентации поверхности n-Si по разному будут формироваться пленки, а отсюда и будут отличаться оптические свойства данных пленок. Пленки GaSe/n-Si (100) и GaSe/n-Si (111) на подложках из монокристаллического кремния n-Si (100) и n-Si (111) с удельным сопротивлением 5 Ом·см и 4,5 Ом·см соответственно, были полученные методом термического напыления на вакуумной установке ВУП-5М. Толщина выращенных пленок задавалась количеством свежеприготовленного синтезированного порошка и составляла 15, 30 и 60 нм и контролировалась с помощью интерферометра МИИ-4. В данной работе исследованы спектры отражения в диапазоне 400-750 нм (дифракционный решеточный монохроматор МДР-23) и в диапазоне 1,4-25 мкм (инфракрасный Фурье спектрометр Spectrum BXII), а также проведены эллипсометрические исследования параметров тонких пленок GaSe на n-Si разной ориентации поверхности с помощью эллипсометра ЛЭФ-3Г на длине волны 632,8 нм при угле падения света 70о. Для пленки GaSe толщиной 60 нм на n-Si (100) максимум экситонной полосы поглощения размещен на длине волны, которая отвечает энергии 2,24 эВ (~ 553 нм), а для пленки GaSe на n-Si (111) на длине волны, которая отвечает энергии 2,29 эВ (~ 542 нм). Разность в размещении максимумов экситонных полос объясняется внутренними механическими напряжениями в пленках, поскольку оптическая ширина запрещенной зоны для GaSe равняется 2,00 эВ (620 нм) [3]. Для пленок толщиной 15 и 30 нм в диапазоне 400 - 750 нм не зафиксированы максимумы экситонных полос. Это может указывать на еще большие механические напряжения в этих пленках, причем в пленках выращенных на n-Si (100) напряжения большие чем в пленках выращенных на n-Si (111), поскольку скорость окисления поверхности n-Si (100) меньшая. За данными эллипсометрических исследований показатель преломления пленок составляет 2,4±0,2. Использовав данные [4] для ε-GaSe получаем для длины волны 632,8 нм значение показателя преломления для данного материала, который равняется 2,91. Меньшие значения показателя преломления тонких пленок могут быть объяснены как анизотропными свойствами данного материала, что особенно актуально для сверхтонких пленок так и возможными квантово-размерными эффектами в этих пленках. Спектры отражения пленок в инфракрасном диапазоне длин волн тех же толщин почти повторяют спектр отражения подложки. Интенсивность отраженного света пленок GaSe/n-Si (100) уменьшается (на 5-8 %) тем больше, чем толще пленка. В случае же пленок GaSe/n-Si (111) — ситуация совсем иная. Интенсивность отраженного света пленок GaSe меньше чем у подложки только до 6 мкм, а далее возрастает на 1-2 %. Такие отличия могут быть объяснены разным влиянием ориентации подложек в процессе роста на структуру тонких пленок GaSe [5]. Для более точного ответа необходимо провести дополнительные исследования структурных свойств пленок GaSe.