В настоящее время большой интерес вызывают свойства квантовоточечных сверхрешёток в связи с их возможным применением в производстве фотогальванических солнечных элементов, фотодетекторов, термоэлектрических элементов и т.д. В связи с продолжающейся миниатюризацией электронных устройств становится всё более важным улучшение точности моделей, используемых для описания происходящих в них процессов. Континуальные модели, в которых пренебрегается решёточной структурой кристаллической решётки, пригодны для описания явлений с участием только длинноволновых фононов. Более реалистичны решёточные модели, так как в них учитывается атомарное строение вещества. В данной работе развита VALENCE FORCE FIELD решеточная модель, использующая различные типы потенциалов взаимодействия между атомами. Используемая нами VALENCE FORCE FIELD модель построена на основе динамических уравнений, записанных в гармоническом приближении. Мы учитывали взаимодействия атома с ближайшими (1-я сфера) и более дальними (2-я сфера) атомами. Использовались радиальные и угловые двух – и трёхчастичные взаимодействия. Для расчёта дисперсионных кривых мы использовали: “stretching”, “stretching-stretching”, “bending” и “stretching-bending” межатомные взаимодействия. Расчёты проводились для гетероструктур и сверхрешёток из Si и Ge. Силовые константы играли роль подгоночных параметров для лучшего воспроизведения экспериментальных объёмных дисперсионных кривых. Мы установили, что в тонких плоских гомо- и гетероструктурах и в сверхрешётках возникает сильное расщепление дисперсионных кривых, вызванное пространственным конфайнментом фононов вдоль zнаправления. Было также получено уплощение дисперсионных кривых в слоях и сверхрешётках по сравнению с объёмным случаем. Это свидетельствует о снижении скоростей фононов. В сверхрешётках появляются щели в плотности состояний фононов. Плотность состояний в сверхрешетках более равномерно распределена по энергиям по сравнению с объёмным случаем и слоями. В зависимости от конфигурации гетероструктуры, колебания происходят либо по всей толще, либо сосредотачиваются в обкладках или во внутреннем слое.