Радиационные эффекты в различныхдетекторах на основе КРТ,сопоставительные излучения особенностей образования и гибели электроактивных дефектов в них при различных видах воздействия ионизирующих излучений(е- и g-излучений, флюенцы,и т.п.) позволили бы получать уточненных данных по изменению кинетических параметров в этих материалах. Важное значение имеет оценка радиационной стойкости детекторов на основе узкозонных полупроводников, изучение особенностей модифицирования структуры и природы наведенных дефектов и тем самым прогнозировать путей улучшения характеристик приборов на основе КРТ. Особое значение имеет сопоставительные изучение термоэдс и термомагнитных явлений, основанных на эффекте Нернста— Эттингсгаузена. В этой связи нами проведены подобные исследования на примере образцов Cd0,15 Hg0,85Te Показано, что как при е- облучении, так и при g-воздействии наблюдается снижение значений, термоэдс причем более заметно это происходит при g-облучении. Кроме того, в обоих видах воздействия обнаруживается смещение температурных значений точек инверсии знака термоэдс на 34К, а также положений максимума a0 при Т=25К на зависимостях a0(Т) в область низких температур на 10 градусов. Надо отметить что, максимум на зависимостях a0Т обусловлен с условием равновесией |a|»|aр| и при облучении возрастает число наведенных носителей (электронов). При условии же |an|>|ap| из-за sp>>sn в термоэдс доминирует дырки. Воздействия g-облучения при низких температурах приводит к изменению числа рассеивающих центров. Эти центры, по видимому являются донорными и обусловлены вакансией атомов Те. Изучение влияние е- и g-облучения на изменение полевых зависимостей магнитотермоэдс aн при разных температурах показывает что при Т=200К у не облученных образцов aн=0, а после е— облучение уменьшается величина aн магнитотермоэдс. При Т³200К, из-за увеличения концентраций электронов величина aн изменяется аналогично термоэдс a0. Характерным является то, что поведение aн при Т=100К и при слабых польях (Н£ 1,5кЭ) величина магнитотермоэдс меньше значений для исходного образца.Также показано что, у. Из сопоставлений этих результатов aн(Н,Т) g-облученных образцов Сd0,15Hg0,85Те следует, что некоторое различие на полевых зависимостях наблюдается только при больших значениях магнитного поля ( Н³ 1,5 кЭ), а характер изменения aн (Т) сохраняется. Установлено, что g-облучение изменяет лишь концентрацию носителей зарядов. Полученные разультаты по влиянию е- и g-облучения на термо и магнитотермоэдс и коэффициента Н-Э показывают, что путем радиационной обработки образцов Сd0,15Hg0,85Te можно повысить удельную чувствительность термомагнитного преобразователья на их основе. На основании сопостовительного анализа термоэлектрических и термомагнитных явлений можно сказать, что электронное и g-облучение в кристаллах КРТ существенного влияния на механизмы рассеяния носителей заряда, оно изменяет лиш число рассеиваюших центров и в образцах с nmn < pmp электронное облучение приводит к возрастанию значения коэффициента Н-Э.