Articolul precedent |
Articolul urmator |
231 0 |
SM ISO690:2012 БЕРИЛ, Иван, БОЛОГА, Мирча. S.P 24 Пропускание света жидкими органическими слабопроводящими полупроводникаМИ. In: Materials Science and Condensed Matter Physics, 13-17 septembrie 2010, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Institutul de Fizică Aplicată, 2010, Editia 5, p. 300. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Materials Science and Condensed Matter Physics Editia 5, 2010 |
||||||
Conferința "Materials Science and Condensed Matter Physics" Chișinău, Moldova, 13-17 septembrie 2010 | ||||||
|
||||||
Pag. 300-300 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Р ан е е [1, 2] показано, что очищенные слабопроводящие органические жидкости с внедренными примесными элементами 1 ой и 7 ой группы периодической системы проявляют полупроводниковый характер по температурной зависимости электропроводности, трансляционной симметрии примесных атомов,нелинейности в вольт-амперных харастеристиках и др. Н а спектрофотограммах (рис.1) представлены зависимости коэффициента пропускания света очищенные подсолнечным маслом (кривая 1) и с примесными центрами меди (кривая 2). Ширина запрещенной зоны, определенная по длине волны начала пропускания света, составляет 3,1 эв. Примесный уровень меди расположен на глубине 2,22 эв от дна зоны проводимости или на 0,88 эв выше валентной зоны, поэтому полупроводник подсолнечное масло – примеси меди дырочного типа должен обнаруживать акцепторные свойства. На спектрофотограммах (рис.2) представлены зависимости коэффициента пропускания света подсолнечным маслом с растворенными органическими соединениями (кривая 1 – хлорофилл, кривая 2 – воск). Растворение органических веществ, содержащих атомы металлов или других элементов может дать устойчивые полупроводники р или n типов. В частности, хлорофилл, содержащий атомы Mg дает примесный уровень (l = 660 нм) р типа на расстоянии 1,22 эв от валентной зоны, а воск, содержащий неидентифицированный атом, дает примесный уровень n-типа (l = 870 нм) на глубине 1,43 эв от дна зоны проводимости.figureРис. 1. Рис. 2. Растворение органических соединений в слабопроводящих органических жидкостях позволит получить воспроизводимые стабильные во времени при соблюдении условий хранения, полупроводники р и n типа. Н а пример, стабильность полупроводника подсолнечное масло – воски проверена в течении нескольких месяцев. Длина волны примесного уровня не изменилась. |
||||||
|