Obiectivele acestor cercetări sunt stabilirea condiţiilor optime de depunere a straturilor de stanat de cadmiu (Cd2SnO4)  prun metoda pulverizării  pe substraturi de sticla  şi studierea proprietăţilor  electrofizice. Tehnologia şi cercetarea  diferiţilor oxizi, depuşi prin metoda pulverizării pentru diferite dispozitive pe baza semiconductorilor, este descrisă şi analizată pe larg în lucrările K.L. Copra [1]. A.J. Nozik si G. Haacke au raportat  primii despre depunerea straturilor Cd2SnO4 prin metoda spulberării magnetronice [2].  Procedeul de depunere a straturilor de oxizi prin metoda pulverizării  − această metodă deţine mai multe avantaje: e simplă, nu necesită utilaj costisitor, pierderile de material sunt minime, economic la depunere pe suprafeţe mari şi exclude necesitatea  utilizării gazelor toxice. La obţinerea oxizilor Cd2SnO4 a fost folosită  instala ţia de  depunere a staturilor de oxizi descrisă în lucrarea [3]. Componentele principale ale acestei instalaţii sunt: sistemul de pulverizare, cuptorul electric vertical, suportul pentru substraturi, sistemul de introducere a substraturilor în cuptor şi sistemul de dirijare şi control al temperaturii. Instalaţia permite a obţine straturi Cd2SnO4 cu o suprafaţă de până la 80 cm2. Temperatura cuptorului se menţine cu o exactitate de ±0,5°. Straturile au fost crescute în atmosfera de oxigen la presiunea de 40 kPa prin pulverizator. În calitate de substraturi a fost folosită sticla. Plachetele au fost degresate în toluen, alcool izopropilic, corodate timp de 10 min în metanol amestecat cu 4% Br, uscate în vapori de alcool izopropilic şi se amplasează în camera de depunere. După aceasta se ridică temperatura în cuptor la valoarea necesară de depunere, se conectează pulverizatorul la sistemul de gaz purtător, se toarnă soluţia de CdCl2+SnCl4 dizolvată în alcool etilic în pâlnia pulverizatorului şi urmează procesul de depunere.  Pentru depunerea straturilor Cd2SnO4, au fost folosite soluţiile CdCl2 şi SnCl4 cu concentraţia de 0,1M şi 0,2M. Straturile au fost crescute în intervalul de temperaturi ale substraturilor de sticlă de 350-450°C pentru diferite raporturi de SnCl4 şi CdCl2 pentru un volum al soluţiilor de 10, 20, 30 ml. Au fost obţinute straturi de Cd2SnO4 cu grosimea de 150-350 nm în funcţie de volumul soluţiei pulverizate. Straturile crescute au următorii parametri electrofizici: ρ = (2-4)⋅10-2 Ω/cm2, n = (2-7)⋅10-17  cm3 şi transparenţa de 85-90%. A fost demonstrat posibilitatea de depunere a straturilor Cd2SnO4 prin metoda pulverizării cu transparenţă mare.