IBN
Закрыть
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Anul fondării  2002
Fondatori
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
Academia de Ştiinţe a Moldovei
Societatea Fizicienilor din Moldova
Tirajul revistei   100
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Ultima descărcare din IBN:
2023-05-30 02:37
Colegiul de redacţie
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Nr. 1 / 2023  (1 din 2)8    CZU
 2023  (1 din 2)8    
Nr. 1 8CZU
 2022  (1 din 2)11    
Nr. 1(21) 11
 2021  (2 din 2)17    
Nr. 2(20) 9CZU
Nr. 1(20) 8CZU
 2020  (1 din 2)8    
Nr. 1-2(19) 8CZU
 2019  (1 din 4)15    
Nr. 1-4(18) 15CZU
 2018  (2 din 4)27    
Nr. 3-4(17) 13CZU
Nr. 1-2(17) 14CZU
 2017  (2 din 4)19    
Nr. 3-4(16) 10CZU
Nr. 1-2(16) 9CZU
 2016  (2 din 4)31    
Nr. 3-4(15) 16CZU
Nr. 1-2(15) 15CZU
 2015  (2 din 4)27    
Nr. 3-4(14) 13CZU
Nr. 1-2(14) 14CZU
 2014  (2 din 4)27    
Nr. 3-4(13) 15CZU
Nr. 1-2(13) 12CZU
 2013  (2 din 4)41    
Nr. 3-4(12) 21
Nr. 1-2(12) 20
 2012  (3 din 4)43    
Nr. 4(11) 14
Nr. 3(11) 14
Nr. 1-2(11) 15
 2011  (3 din 4)50    
Nr. 3-4(10) 15
Nr. 2(10) 15
Nr. 1(10) 20
 2010  (3 din 4)49    
Nr. 3-4(9) 21
Nr. 2(9) 16
Nr. 1(9) 12
 2009  (3 din 4)61    
Nr. 3-4(8) 23
Nr. 2(8) 18
Nr. 1(8) 20
 2008  (4 din 4)67    
Nr. 4(7) 16
Nr. 3(7) 15
Nr. 2(7) 18
Nr. 1(7) 18
 2007  (2 din 4)38    
Nr. 2(6) 21
Nr. 1(6) 17
 2006  (3 din 4)72    
Nr. 3-4(5) 19
Nr. 2(5) 15
Nr. 1(5) 38
 2005  (4 din 4)96    
Nr. 4(4) 22
Nr. 3(4) 43
Nr. 2(4) 10
Nr. 1(4) 21
imagine

pISSN: 1810-648X
eISSN: 2537-6365
Moldavian Journal of the Physical Sciences
Categoria:
  • C (30.09.2022-30.09.2024)
  • Exclusă (30.10.2020)
  • C (18.07.2017-31.12.2019)
  • B (27.06.2013-27.06.2017)
  • A (30.04.2009-26.06.2013)

Fizica şi electronica solidului, inclusiv a structurilor nanometrice, tehnologia şi ingineria materialelor şi dispozitivelor electronice. Fizica şi tehnologia materialelor, structurilor şi dispozitivelor optoelectronice semiconductoare


În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2005 - 2023
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateCZUDOI
Articole70715815491914917379
Volume43554262622
Total750163697521771

Vizualizări   1229Descărcări   50

Conţinutul numărului de revistă

Intense luminescence from porous ZnSe layers 129-134
Monaico Eduard , Ubrieta A , Fernandez P , Piqueras Javier , Tiginyanu Ion , Ursachi Veaceslav , Boyd Robert W.
Semiconductor-oxide nanocomposites based on porous semiconductors 142-147
Sirbu Lilian , Ursachi Veaceslav , Tiginyanu Ion , Dolgaleva Ksenia , Boyd Robert W.
Optical characterization of long -term ordered and nanocrystalline GaP 148-159
Pyshkin Serghei , Ballato John , Chumanov George
Stimulated Raman atom-molecule conversion in a Bose-Einstein condensate 160-165
Khadzhi Peter , Tkachenko D.
Superconductivity properties of compound MgB2 on basis of two-band model 166-173
Palistrant Maria , Ursu Vasile
Oscillations of squeezing in microcavity 174-179
Koroli Vlad
Excitonic and radiative effects in GaSe-C60 structures 180-184
Evtodiev Igor , Lozovanu Petru , Vatavu-Cuculescu Elmira , Caraman Mihail
Investigation of energetic states, determined by Cu and Cd Impurity atoms, at surface of GaS and GaSe monocrystalline layers 185-193
Evtodiev Igor , Vatavu-Cuculescu Elmira , Postolache Vitalie , Caraman Mihail
Interference of resonance luminescence of exciton polaritons in CuGaS2 crystals 194-200
Syrbu Nicolae , Nemerenco Lucreţia , Stamov Ivan , Bejan Valerian , Tezlevan Victor
Free and bound exciton luminescence of ZnP2 –D4↑8 201-206
Syrbu Nicolae , Stamov Ivan , Dorogan Andrei , Nemerenco Lucreţia
Temperature dependence of photoinduced absorption in As2S3 glass fibers 207-212
Culeac Ion , Nistor Yu.
Crystal structure Cu2(D-Ala)2(L-Ala)(L-Ser) and its structural peculiarities In comparison with mixed compound Cu2(D-Ala)(D-Ser)(L-Ser)2 213-217
Diakon I. , Donu Sofia , Chapuruna L.
Crystalline and molecular structure of ETHYLENACETAL-1-(3,3-DIMETHYL-2 OXOBUTYL)-2,3-INDOLINEDIONE 218-221
Chumakov Yurii , Chumakov Yurii , Makaev Fliur , Styngach Evgenia , Sucman Natalia
Tensoresistive effect in single crystal microwires of PbTe doped with Tl 222-227
Zasavitsky E.
Indentation size effect in ITO/Si planar structure under concentrated load action 228-232
Harea Evghenii
Electrical properties of MgO-ZrO2 insulating coatings on different types of epoxies 233-238
Cakiroglu O , Palistrant Natalia
Solar grade silicon obtaining with application of solar heating 239-244
Harcenko V.
Emitter doping influence on electrical performance of C-Si cells under concentrated light 245-249
Bobeico Eugenia , Lancellotti L. , Morvillo Pasquale , Roca F.
Isothermal annealing influence on structural defects and some characteristics of Bismuth Telluride wire crystals 250-252
Dantu M , Meglei Dragoş , Rusu Alexandru
Temperature and preliminary deformation influence on micromechanical and acoustic-emission properties of MgO single crystals 253-260
Zhitaru Raisa , Rahvalov Veaceslav
Preparation and photoluminescence of ZnGa2O4:Co 261-263
Zhitar V. , Ursachi Veaceslav , Volodina Galina , Muntean Ştefan , Shemyakova Tatiana