| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 635 6 |
| Ultima descărcare din IBN: 2023-10-11 10:52 |
| Căutarea după subiecte similare conform CZU |
| 621.0.484.755 (2) |
| Общее машиностроение. Ядерная технология. Электротехника. Технология машиностроения (1725) |
 SM ISO690:2012TOPALĂ, Pavel, MELNIC, Vasile, GUZGAN, Dorin. Formarea peliculelor de oxizi pe suprafaţa siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acţiune indirectă. In: Inginerie agrară şi transport auto, 12-13 noiembrie 2015, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Agrară de Stat din Moldova, 2015, Vol.45, pp. 249-252. ISBN 978-9975-64-276-7. |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
| Inginerie agrară şi transport auto Vol.45, 2015 |
||||||
|
Simpozionul "Realizări şi perspective în inginerie agrară şi transport auto" Chișinău, Moldova, 12-13 noiembrie 2015 | ||||||
|
||||||
| CZU: 621.0.484.755 | ||||||
| Pag. 249-252 | ||||||
|
||||||
 Descarcă PDF |
||||||
| Rezumat | ||||||
Oxidation of semiconductor surface by means of electrical discharges in impulse in air has been realized under normal conditions. It is shown that the morphology of oxide films depends on the processing power. The quantity of oxygen absorbed by semiconductor surface depends on discharge frequency and number of discharges. |
||||||
| Cuvinte-cheie oxidation, oxide films, surface, discharge |
||||||
|
|
|
|
