Technology enhanced electrical engineering education in context of Crunt Tempus project
Закрыть
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
846 10
Ultima descărcare din IBN:
2023-02-07 10:35
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
378.147:621.3 (2)
Высшее образование. Университеты. Академическое обучение (2533)
Электротехника (1146)
SM ISO690:2012
ADASCALIŢEI, Adrian A., SECRIERU, Nicolae, TODOS, Petru. Technology enhanced electrical engineering education in context of Crunt Tempus project. In: Meridian Ingineresc, 2016, nr. 2(61), pp. 18-21. ISSN 1683-853X.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Meridian Ingineresc
Numărul 2(61) / 2016 / ISSN 1683-853X

Technology enhanced electrical engineering education in context of Crunt Tempus project
CZU: 378.147:621.3

Pag. 18-21

Adascaliţei Adrian A.1, Secrieru Nicolae2, Todos Petru2
 
1 Gheorghe Asachi Technical University of Iasi,
2 Technical University of Moldova
 
Proiecte:
 
Disponibil în IBN: 16 noiembrie 2016


Rezumat

As MEMS technology is implemented in a growing range of areas, the reliability of MEMS devices is a concern. Understanding the failure mechanisms is a prerequisite for quantifying and improving the reliability of MEMS devices. This paper reviews the common failure mechanisms in MEMS and highlights some of the reliability concerns for both ohmic and capacitive MEMS switches. Ohmic switches fail catastrophically by stiction whereas dielectric charging leads to degraded performance of capacitive switches.

Aceste dispozitive sunt comutatoare de rezistențe electrice care pot să-și amintească de starea rezistenței interne pe baza istoricului curentului și tensiunii aplicate. Ele pot înmagazina și trata informația oferind câteva caracteristici-cheie performante care depășesc tehnologia convențională a circuitelor integrate. O importantă clasă de memristoare sunt comutatoare de rezistență cu două terminale, bazate pe mișcarea ionilor, și sunt constituite dintr-un simplu teanc conductor/ izolant/conductor realizat dintr-un film subțire.

Ces dispositifs sont des commutateurs de résistances électriques qui peuvent se souvenir de l’état de la résistance interne sur la base de l’histoire de la tension et du courant appliqués. Les dispositifs memristifs peuvent emmagasiner et traiter l’information et offrent quelques caractéristiquesclé performantes qui dépassent la technologie conventionnelle des circuits intégrés. Une importante classe de dispositifs memristifs sont des commutateurs de résistance à deux terminaux, basés sur le mouvement des ions, qui sont constitués d’une simple pile conducteur/isolant/conducteur réalisée en film mince.

Эти устройства представляют собой переключателями электрических резисторов которые могут вспомнить состояние внутреннего сопротивления на базе истории и текущего приложенного напряжения. Они могут хранить и обрабатывать информацию, предлагая некоторые ключевые характеристики, превосходящие обычные технологии интегральных схем. Важным классом мемристоров являются переключатели сопротивления с двумя терминалами, основанные на перемещении ионов, и состоят из простого стека проводник / диэлектрик / проводник, выполненного из тонкой пленки.