Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности
Закрыть
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
889 1
Ultima descărcare din IBN:
2022-02-14 14:39
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.315 (163)
Электротехника (1146)
SM ISO690:2012
СИМАШКЕВИЧ, Алексей, ШЕРБАН, Д., КАРАМАН, М., RUSU, Marin, БРУК, Л., CURMEI, Nicolai. Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности . In: Электронная обработка материалов, 2016, nr. 3(52), pp. 53-57. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 3(52) / 2016 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности
CZU: 621.315

Pag. 53-57

Симашкевич Алексей1, Шербан Д.1, Караман М.2, Rusu Marin3, Брук Л.1, Curmei Nicolai1
 
1 Институт прикладной физики АНМ,
2 Молдавский Государственный Университет,
3 Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy
 
Proiecte:
 
Disponibil în IBN: 11 noiembrie 2016


Rezumat

Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.

Cuvinte-cheie
солнечный элемент (СЭ), гетеропереход, эффективность преобразования,

ITO, Si