Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
889 1 |
Ultima descărcare din IBN: 2022-02-14 14:39 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315 (163) |
Электротехника (1146) |
SM ISO690:2012 СИМАШКЕВИЧ, Алексей, ШЕРБАН, Д., КАРАМАН, М., RUSU, Marin, БРУК, Л., CURMEI, Nicolai. Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности . In: Электронная обработка материалов, 2016, nr. 3(52), pp. 53-57. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | |||||||
Numărul 3(52) / 2016 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | |||||||
|
|||||||
CZU: 621.315 | |||||||
Pag. 53-57 | |||||||
|
|||||||
Descarcă PDF | |||||||
Rezumat | |||||||
Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%. |
|||||||
Cuvinte-cheie солнечный элемент (СЭ), гетеропереход, эффективность преобразования, ITO, Si |
|||||||
|