Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale monoseleniurii de galiu dopat cu Cd
Закрыть
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
665 2
Ultima descărcare din IBN:
2023-04-24 23:50
SM ISO690:2012
DMITROGLO, Liliana, VATAVU-CUCULESCU, Elmira, EVTODIEV, Igor, CARAMAN, Mihail. Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale monoseleniurii de galiu dopat cu Cd. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice), 2011, nr. 7(47), pp. 117-121. ISSN 1857-2073.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice)
Numărul 7(47) / 2011 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033

Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale monoseleniurii de galiu dopat cu Cd

Pag. 117-121

Dmitroglo Liliana, Vatavu-Cuculescu Elmira, Evtodiev Igor, Caraman Mihail
 
Universitatea de Stat din Moldova
 
Disponibil în IBN: 5 octombrie 2015


Rezumat

The paper is focused on analysis of structural transformations and investigations on electrical and photoelectrical properties of GaSe and GaSe:Cd semiconductors. The XRD analysis demonstrated that Cd atoms are homogeneously distributed in GaSe. It has been also shown that Cd atoms form localized levels which increase the absorption for hν