Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică.

ZnSe thin films have been grown epitaxially on GaAs and sapphire substrates in an opentube system by the reaction of Zn vapors with the H2Se nonmetalic hybride gas. The influence of substrate temperature in controlling stoichiometry and polymorphism of thin films have been analised. The microphotographs TEM indicate that obtained films have a polycrystalline structure, are compacted and have a small roughness.