Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se
Закрыть
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
294 5
Ultima descărcare din IBN:
2023-12-04 13:06
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.315.592 (96)
Электротехника (1163)
SM ISO690:2012
ЗИКРИЛЛАЕВ, Н., ТУРСУНОВ, О., КУШИЕВ, Г.. Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se. In: Электронная обработка материалов, 2023, nr. 2(59), pp. 16-20. ISSN 0013-5739. DOI: https://doi.org/10.52577/eom.2023.59.2.16
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 2(59) / 2023 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремния с участием атомов Zn и Se

DOI:https://doi.org/10.52577/eom.2023.59.2.16
CZU: 621.315.592

Pag. 16-20

Зикриллаев Н., Турсунов О., Кушиев Г.
 
Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни
 
 
Disponibil în IBN: 26 aprilie 2023


Rezumat

Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувстви-тельности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе.

A possibility of the formation of structures such as compounds of elements between chalcogenides and the transition group of metals in the crystal lattice of silicon is studied. This is an urgent problem in electronics. It is shown that, under certain technological conditions, a sufficient concentration of unit cells is formed, which leads to a change in the band structure of silicon itself, i.e. a micro- and nanoscale inclusion in silicon with a direct-gap structure is obtained. The possibilities of creating a fundamentally new class of photocells with an extended spectral sensitivity region, as well as light-emitting devices, light-emitting diodes and lasers based on them are shown.

Cuvinte-cheie
кремний, фотоприемники, взаимодействия, нанокластеры, варизонная структура, элементарная ячейка, растворимость, селен, цинк,

Silicon, photodetectors, interactions, Nanoclusters, graded-gap structure, unit cell, Solubility, Selenium, Zinc