Elaboration of the platform for flexoelectric investigation of GaN microtubes
Закрыть
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
232 5
Ultima descărcare din IBN:
2022-05-22 09:09
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.9.047 (19)
Формообразование со снятием стружки. Молоты и прессы (110)
SM ISO690:2012
MONAICO, Elena; TRIFAN, Cătălin; MONAICO, Eduard; TIGINYANU, Ion. Elaboration of the platform for flexoelectric investigation of GaN microtubes. In: Journal of Engineering Sciences. 2020, nr. 4, pp. 45-54. ISSN 2587-3474.
10.5281/zenodo.4288263
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Journal of Engineering Sciences
Numărul 4 / 2020 / ISSN 2587-3474 /ISSNe 2587-3482

Elaboration of the platform for flexoelectric investigation of GaN microtubes

DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.4288263
CZU: 621.9.047

Pag. 45-54

Monaico Elena1, Trifan Cătălin1, Monaico Eduard1, Tiginyanu Ion12
 
1 Technical University of Moldova,
2 Academia de Ştiinţe a Moldovei
 
Disponibil în IBN: 23 decembrie 2020


Rezumat

In this paper, the design and elaboration of a cost-effective technological process for the fabrication of the platform for the study of flexoelectric properties of GaN microtubes with the diameter of 2 - 5 μm and the thickness of the microtube walls of 50 nm is proposed. The impact of the design as well as the electrochemical etching parameters (applied voltage, duration of anodization) on the obtained channel dimensions is investigated. The proposed technological route implies electrochemical etching of n-InP semiconductor crystal in an environmentally friendly electrolyte at high etch rate. The technological process was optimized experimentally. It was proposed to introduce a perpendicular channel in which the microtube will be placed to reach a higher stability on the platform during the measurements.

În lucrare se propune proiectarea și elaborarea unui proces tehnologic rentabil pentru fabricarea platformei destoinate studiului proprietăților flexoelectrice a microtuburilor GaN cu diametrul de 2 - 5 μm și grosimea pereților microtuburilor de 50 nm. A fost investigat impactul proiectării, precum și parametrii de gravare electrochimică (tensiunea aplicată, durata anodizării) asupra dimensiunilor canalului obținut. Traseul tehnologic propus implică gravarea electrochimică a cristalului semiconductor n-InP într-un electrolit ecologic la o rată mare de gravare. Procesul tehnologic a fost optimizat experimental. S-a propus introducerea unui canal perpendicular în care microtubul va fi plasat pentru a atinge o stabilitate mai mare pe platformă în timpul măsurătorilor.

Cuvinte-cheie
investigation chip, Anodization, flexoelectricity, isotropic etching, Neutral electrolyte, high etch rate, Porous InP,

cip de investigație, anodizare, flexoelectricitate, gravare izotropă, electrolit neutru, rată mare de gravare, InP poros