IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Anul fondării  1996
Tirajul revistei   
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Ultima descărcare din IBN:
2021-09-15 04:19
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Vol. 8 / / 2003  (1 din 1)1    
 2003  (1 din 1)1    
Vol. 8 1
 2000  (1 din 1)1    
Vol. 5, nr. 1 (supl.) 1
imagine

pISSN: 1092-5783
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
Factor de impact SJR 2008 - 0.194
Factor de impact SNIP 2008 - 0

În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2000 - 2003
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateDOI
Articole259602
Volume24769
Total410729

Vizualizări   433Descărcări   9

Conţinutul numărului de revistă

Free excitons in strained MOCVD-grown GaN layers 0-0

DOI: 10.1557/s1092578300000442

Syrbu Nicolae , Tiginyanu Ion , Ursachi Veaceslav , Zalamai Victor , Popa Veaceslav , Hubbard Seth M. , Pavlidis Dimitris