IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Tirajul revistei   
Vizibilitate internațională >
Caracteristica articolelor >
Limba de publicare >
Vizibilitatea autorilor >

Numere înregistrate

  2019  (3 din )3
  2018  (2 din )2
  2013  (5 din )6
  2012  (1 din )1
  2008  (3 din )3
  2007  (1 din )1
  2006  (2 din )2
  2004  (1 din )1
  2003  (1 din )1
imagine

pISSN: 0021-8979
Journal of Applied Physics

În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2003 - 2019
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateDOI
Articole2038901020
Volume19256517
Total39645527

Vizualizări   138

Conţinutul numărului de revistă

High-pressure Raman scattering study of defect chalcopyrite and defect stannite ZnGa2Se4

0-0

DOI: 10.1063/1.4810854

Vilaplana Rosario Isabel, Gomis Oscar, Perez-Gonzalez Eduardo, Ortiz Henry M, Manjon Francisco Javier, Rodriguez-Hernandez Placida Rogelio, Munoz Alfonso Gonzalez, Alonso-Gutiérrez Pablo, Sanjuán María Luisa, Ursaki Veacheslav, Tiginyanu Ion