IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWZ
ЗСЭ

Despre revistă
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Anul fondării  1965
Tirajul revistei   100
Vizibilitate internațională >
Caracteristica articolelor >
Limba de publicare >
Colegiul de redacţie >
Vizibilitatea autorilor >

Numere înregistrate

  2019  (5 din 6)
  2018  (5 din 6)
  2017  (2 din 6)
  2016  (1 din 6)
  2015  (1 din 6)
  2014  (1 din 6)
  2013  (3 din 6)
  2012  (1 din 6)
  2011  (6 din 6)
  2010  (6 din 6)
  2009  (6 din 6)
  2008  (5 din 6)
  2007  (6 din 6)
imagine

pISSN: 1068-3755
eISSN: 1934-8002
Surface Engineering and Applied Electrochemistry
Factor de impact ISI 2012 - 0.289

Fizica materiei condensate, atomilor, nucleelor şi tehnologii ale materialelor şi dispozitivelor semiconductoare, inclusiv nanotehnologii. Electro- şi termofizica proceselor de transfer şi tehnologii de prelucrare a materialelor


În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2007 - 2019
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateDOI
Articole53918432639526
Volume4814383220
Total587198709615
Dinamica articolelor în dependenţă de numărul autorilor
Distribuirea articolelor pe domenii şi ani
Distribuirea autorilor revistei pe ţări
Periodicitatea de apariţie a numerelor revistei
Distribuirea autorilor în funcție de sex
Dinamica descărcărilor publicațiilor pe ani

Vizualizări   207

Conţinutul numărului de revistă

The impact of the discreteness of low-fluence ion beam processing on the spatial architecture of GaN nanostructures fabricated by surface charge lithography

1-3
Tiginyanu Ion, Volciuc Olesea, Stevens-Kalceff MarionA., Popa Veaceslav, Gutowski Jurgen, Wille Sebastian, Adelung Rainer, Foll Helmut