IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWZ
ЗСЭ

Despre revistă
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Anul fondării  2002
Fondatori
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM
Societatea Fizicienilor din Moldova
Universitatea de Stat din Moldova
Tirajul revistei   200
Vizibilitate internațională >
Caracteristica articolelor >
Limba de publicare >
Ultima descărcare din IBN:
2019-07-18 18:15
Colegiul de redacţie >
Vizibilitatea autorilor >

Numere înregistrate

  2018  (2 din 4)
  2017  (2 din 4)
  2016  (2 din 4)
  2015  (2 din 4)
  2014  (2 din 4)
  2013  (2 din 4)
  2012  (3 din 4)
  2011  (3 din 4)
  2010  (3 din 4)
  2009  (3 din 4)
  2008  (4 din 4)
  2007  (2 din 4)
  2006  (3 din 4)
  2005  (4 din 4)
imagine

pISSN: 1810-648X
eISSN: 2537-6365
Moldavian Journal of the Physical Sciences
Categoria:
  • C (2017.07.18-2019.12.31)
  • B (2013.06.27-2017.06.27)
  • A (2009.04.30-2013.06.26)

Fizica şi electronica solidului, inclusiv a structurilor nanometrice, tehnologia şi ingineria materialelor şi dispozitivelor electronice. Fizica şi tehnologia materialelor, structurilor şi dispozitivelor optoelectronice semiconductoare


În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2005 - 2018
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateCZU
Articole5961769361378101
Volume3713342296
Total6331902781674
Dinamica articolelor în dependenţă de numărul autorilor
Distribuirea articolelor pe domenii şi ani
Distribuirea autorilor revistei pe ţări
Periodicitatea de apariţie a numerelor revistei
Distribuirea autorilor în funcție de sex
Dinamica descărcărilor publicațiilor pe ani

Vizualizări   391Descărcări   1

Conţinutul numărului de revistă

Unconventional metal-insulator transition in RexSi1-x 252-256
Aruşanov Ernest, Lisunov Constantin, Schumann J, Vinzellberg H
Intraband nonresonant optical polaron in semimagnetic semiconductors 261-268
Seyid-Rzayeva S.
Kinetics of photoconductivity of CuGaSe2 (Zn,Ge) crystals 269-269
Kniazev A., Spirin E., Emelianov N.
Compositional and aspect studies of sulphur passivation on n-GaAs 270-274
Ghita R., Negrila Constantin, Ungureanu F., Predoi D.
Structural changes in chemically deposited CdS: effect of thermal annealing 275-279
Maticiuc Natalia, Potlog Tamara, Hiie J., Mikli V., Poldme Nils, Raadik T., Valdna V., Mere Arvo, Quinci F.
New materials of B2O3–Bi2O3–Me2O3 (Me = Yb, Lu) systems 280-285
Asadov M., Ahmedova N.
Improvement in the radiation stability of synthetic elastomer epdm modified with metallic selenium 286-290
Zaharescu T., Mantsch A., Jipa S.
Electron tunneling in an asymmetry heterostructure under the influence of both dresselhaus and rashba spin–orbit terms 291-298
Peter A.
Phonon drag thermopower of 2d electron gas in quantum well with parabolic confinement potential 299-303
Hashimzade F., Babayev M., Mehdiyev B., Hasanov Kh.
Effect of anisotropy on the logarithmic singularities in the electronic density of states in layered systems 304-307
Digor Dumitru, Palistrant Maria
Nanostructured ZnO produced from ZnTe for random laser applications 308-313
Zalamai Victor, Ursachi Veaceslav, Burlacu Alexandru, Rusu Emil, Tighineanu Ion, Postolache Vitalie
Plasma synthesis and treatment of copper-based nanopowders 314-323
Tarasenko N., Nevar A., Savastenko N., Grigorieva T.
Evaluation of electrical insulation quality of epoxy resin modified with oxide nanoparticles 324-332
Craciun E., Zaharescu T., Ignat Marcelina, Catanescu L., Zarnescu G.
Numerical optimization of metallized titania nanotube morphologies for negative index material flat lens applications 333-338
Sergentu Vladimir, Zalamai Victor, Ursachi Veaceslav, Tighineanu Ion, Enachi Mihail
Optical properties of chalcogenide (As2S1.5Se1.5)0.99:Sn0.01 thin films 339-344
Iaseniuc Oxana, Andrieş Andrei, Abaşkin Vladimir
The strength properties of bifilar microwires based on Bismuth and Tin 345-348
Meglei Dragoş, Dîntu Maria, Donu Sofia
Lattice dynamics of the ternary-layered TlGaSe2 compound 349-354
Nizametdinova M., Hashimzade F., Huseinova D., Orudzhev G., Allakhverdiev K.
Structural features of the Cu2Gly2(D–Hoser)(L–Hoser) crystals 355-357
Diacon Ion, Donu Sofia, Ciapurina Liudmila
CeO2 single buffer layer for YBCO RABiTS coated conductors 358-362
Mihalache Valentina, Stefan N., Miroiu F.
Analysis of fill factor losses in thin film CdS/CdTe photovoltaic devices 363-367
Potlog Tamara, Spalatu Nicolae, Ciobanu Vasile, Hiie J., Mere Arvo, Mikli V.