Future trends in power electronic devices
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
155 4
Ultima descărcare din IBN:
2020-02-05 13:06
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
62-83:621.38 (1)
Inginerie. Tehnică în general (1866)
Electrotehnică (729)
SM ISO690:2012
BĂJENESCU, Titu-Marius. Future trends in power electronic devices. In: Journal of Engineering Sciences. 2019, nr. 4, pp. 67-77. ISSN 2587-3474.
10.5281/zenodo.3591592
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Journal of Engineering Sciences
Numărul 4 / 2019 / ISSN 2587-3474 /ISSNe 2587-3482

Future trends in power electronic devices

Tendinţe viitoare în dezvoltarea dispozitivelor electronice de putere


CZU: 62-83:621.38
DOI: 10.5281/zenodo.3591592
Pag. 67-77

Băjenescu Titu-Marius
 
Swiss Technology Association
 
Disponibil în IBN: 27 ianuarie 2020


Rezumat

The recent technological progress of semiconductors and increasing demand for power electronic devices in the different domains of electric energy particularly for applications in aeronautics and networks of transport and distribution impose new specifications such as high frequencies, high voltages, high temperatures and high current densities. All of this contributes in the strong development of power devices. To this end, separation techniques for low-resistivity films should be developed, as well as thick-film growth technologies, including hot filament CVD on insulating wafers. The article outlines the evolution of semiconductor manufacturing, current applications and perspective.

Progresul tehnologic recent al semiconductorilor și creșterea cererii de dispozitive electronice de putere în diferite domenii ale energiei electrice, în special pentru aplicaţiile aeronautice și reţelele de transport și distribuţie impun noi specificaţii, cum ar fi frecvenţe înalte, tensiuni și temperaturi ridicate, densităţi mari de curent. Toate acestea contribuie la dezvoltarea puternică a dispozitivelor de alimentare. În acest scop, ar trebui dezvoltate tehnici de separare pentru pelicule cu rezistivitate scăzută, precum și tehnologii de creștere a filmelor groase, inclusiv CVD cu filament fierbinte pe placi izolatoare. Articolul prezintă evoluţia producţiei de semiconductori, aplicaţiile actuale și perspective.

Cuvinte-cheie
GaN, SiC, Si vs SiC, IGBT, MOSFET, HEMT, HFET, FET, diamond power devices,

GaN, SiC, Si vs SiC, IGBT, MOSFET, HEMT, HFET, FET, dispozitive de alimentare pe bază de diamante