Proprietățile fizico-chimice ale senzorilor-în baza semiconductorilor oxidici nanometrici
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
1140 4
Ultima descărcare din IBN:
2024-02-08 17:38
SM ISO690:2012
MAGARIU, Nicolae, SEREACOV, Alexandr. Proprietățile fizico-chimice ale senzorilor-în baza semiconductorilor oxidici nanometrici. In: NANO-2019: Limits of Nanoscience and Nanotechnologies, Ed. 2019, 24-27 septembrie 2019, Chişinău. Chișinău, Republica Moldova: 2019, p. 62.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
NANO-2019: Limits of Nanoscience and Nanotechnologies 2019
Conferința "SPINTECH Summer school “S/F Hybrid Structures for Spintronics”"
2019, Chişinău, Moldova, 24-27 septembrie 2019

Proprietățile fizico-chimice ale senzorilor-în baza semiconductorilor oxidici nanometrici


Pag. 62-62

Magariu Nicolae, Sereacov Alexandr
 
Universitatea Tehnică a Moldovei
 
 
Disponibil în IBN: 27 ianuarie 2020


Rezumat

Problema poluării aerului este una globală. Importanța elaborării materialelor sensibile la gazele poluante este una majoră. În acest context, semiconductorii oxidici nanometrici prezintă un interes sporit pentru cercetările științifice. În această lucrare sunt cercetate caracteristicile structurilor senzori în baza oxidului de zinc dopat cu argint sau cu paladiu. Au fost cercetate proprietățile acestor materiale cu ajutorul XRD, XPS, EDX, SEM și electrice. De asemenea, răspunsul structurilor senzori în baza oxidului de zinc dopat cu paladiu netrat și tratat termic. În continuare, în lucrarea dată s-a studiat cum se modifică răspunsul față de hidrogen și etanol. Structurile senzori elaborate au fost testate la concentrații mici de hidrogen și etanol. Au fost studiate performanțele senzor, răspunsul la ambele gaze pentru determinarea celui mai bun material senzor. La fel a fost determinată care este cea mai mică temperatură de operare pentru aceste materiale. Au fost măsurate caracteristicile dinamice la gaz pentru a verifica dacă senzorul elaborat are același răspuns după un anumit interval de timp. Rezultatele sunt importante pentru dezvoltarea în continuare a semiconductorilor oxidici pentru dispozitive senzoriale.