Увеличение кратности фотоответа в структурах
аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов

Prilepov Vladimir; Гашин Петру; Chiriţa O; Коршак Олег; Споялэ Дорин; Наседкина Надежда

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

987

Ultima descărcare din IBN:
2020-11-21 12:30

SM ISO690:2012

PRILEPOV, Vladimir, ГАШИН, Петру, CHIRIŢA, O, КОРШАК, Олег, СПОЯЛЭ, Дорин, НАСЕДКИНА, Надежда. Увеличение кратности фотоответа в структурах аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов . In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Reale şi ale Naturii), 2009, nr. 6(26), pp. 219-221. ISSN 1814-3237.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Reale şi ale Naturii)

Numărul 6(26) / 2009 / ISSN 1814-3237 /ISSNe 1857-498X

Увеличение кратности фотоответа в структурах аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов

Pag. 219-221

Prilepov Vladimir, Гашин Петру, Chiriţa O, Коршак Олег, Споялэ Дорин, Наседкина Надежда

Молдавский Государственный Университет

Disponibil în IBN: 3 decembrie 2013

Descarcă PDF

Rezumat

În lucrare sunt prezentate particularităţile tehnologice de obţinere a structurilor dispersate pe bază de vanadiu, inclusiv având suprafaţa ramifi cată (fractală). A fost stabilit că la depunerea peliculelor amorfe As4Se3S3 pe suprafeţe fractale, multiplicitatea fotocurentului pentru această strucutură se măreşte.

The technological peculiarities of fi ne-dyspersated vanadium based structures depositions including the ones with furcated (fractal) surfaces are given in this paper. It has been shown that the deposition of amorphous As4Se3S3 fi lms onto fractal surfaces results in the increase of the photocurrent multiplicity for this structure.