Cercetări privind aplicarea unor straturi subțiri de compuși semiconductori AIIBVI în celulele solare pe bază de perovskite
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
199 1
Ultima descărcare din IBN:
2021-01-16 21:17
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.382 (42)
Electrotehnică (793)
SM ISO690:2012
POPA, Mihail. Cercetări privind aplicarea unor straturi subțiri de compuși semiconductori AIIBVI în celulele solare pe bază de perovskite. In: Traditie şi inovare în cercetarea ştiinţifică. Ediția 8, 12 octombrie 2018, Bălți. Bălți: Universitatea de Stat „Alecu Russo” din Bălți, 2018, pp. 137-143. ISBN 978-9975-50-235-1.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Traditie şi inovare în cercetarea ştiinţifică
Ediția 8, 2018
Conferința "Traditie și inovare în cercetarea științifică"
Bălți, Moldova, 12 octombrie 2018

Cercetări privind aplicarea unor straturi subțiri de compuși semiconductori AIIBVI în celulele solare pe bază de perovskite


CZU: 621.382
Pag. 137-143

Popa Mihail
 
Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi
 
Disponibil în IBN: 20 decembrie 2019


Rezumat

In the work were presented preparation and research techniques of the electrical properties of the perovskite solar cells, in which ZnS, ZnSe and ZnTe thin films were applied. Using these layers as the electron transport layer (ETL), a power conversion efficiency (PCE) of about 2.57% was obtained, and cells with hole transport layer (HTL) the PCE achieved a maximum 2.14%. By doping ETL and HTL with chalcogenides a maximum yield of 3.98% was obtained. Preparation of solar cells with two layers of ETL or HTL increased of PCE to 7.40% maximum. By doping bulk heterojunction of perovskite with the calcogenide thin layers has increased PCE of cells up to 13.84%.

Cuvinte-cheie
perovskite, ETL, HTL, ITO, PEDOT:PSS, PCBM, PCE