Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
851 4 |
Ultima descărcare din IBN: 2024-02-02 15:22 |
SM ISO690:2012 ИСАКОВА, Калина, НИКА, Денис, ПОКАТИЛОВ, Евгений. Экситонные состояния в квантовых точках Si/SiO2. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Reale şi ale Naturii), 2008, nr. 2(12), pp. 232-236. ISSN 1814-3237. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Reale şi ale Naturii) | ||||||
Numărul 2(12) / 2008 / ISSN 1814-3237 /ISSNe 1857-498X | ||||||
|
||||||
Pag. 232-236 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
În lucrare este dezvoltată teoria stărilor electronice, de gol şi excitonice pentru punctul cuantic din Si, plasat în mediul
dielectric. A fost cercetată dependenţa pătrunderii în mediul dielectric de înălţimea barierei potenţiale şi a fost demonstrat
că nanostructurile de acest tip pot fi utilizate cu succes în optoelectronică şi biomedicină. De asemenea, a fost studiată
dependenţa energiei de legătură a excitonului de înălţimea barierei potenţiale. |
||||||
|