Фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdSe-CdTe
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
586 3
Ultima descărcare din IBN:
2023-06-10 22:10
SM ISO690:2012
ГАГАРА, Людмила , ГАШИН, Петру, ИНКУЛЕЦ, Ион , ФЁДОРОВ, Владимир. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdSe-CdTe. In: Integrare prin cercetare şi inovare.: Ştiinţe ale naturii şi exacte, 10-11 noiembrie 2015, Chișinău. Chisinau, Republica Moldova: Universitatea de Stat din Moldova, 2015, R, SNE, pp. 166-168.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Integrare prin cercetare şi inovare.
R, SNE, 2015
Conferința "Integrare prin cercetare şi inovare"
Chișinău, Moldova, 10-11 noiembrie 2015

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdSe-CdTe


Pag. 166-168

Гагара Людмила , Гашин Петру, Инкулец Ион , Фёдоров Владимир
 
Молдавский Государственный Университет
 
Disponibil în IBN: 11 noiembrie 2019


Rezumat

Использование экологически чистых источников энергии, в частности – солнечных элементов, является довольно проблематичным в мировой практике. Соединения АIIВ VI широко известны как достаточно высокофоточувствительные материалы для всего видимого спектра солнечного излучения и поэтому большинство из них широко используются для создания тонкопленочных солнечных элементов. Причем отличительной способностью данных соединений является их выраженная монополярность, поэтому данные материалы используются в виде гетеропереходов. Наиболее широко известны тонкопленочные гетеропереходные солнечные элементы CdS-CdTe. Но возможность создания других пар гетеропереходных систем на базе А2 В6 и солнечных элементов, в частности – CdSe-CdTe, представляет научный интерес. Отсутствие необходимости кристаллического совершенства полупроводниковых слоев, образующих гетеропереход, позволяет применять дешевые технологии их получения, снижая стоимость фотопреобразователей. На стеклянную подложку, покрытую тонким высокопроводящим слоем ITO, методом горячих стенок наносится слой CdSe. Толщина слоя варьировалась в соответствии со временем нанесения и составляла 2-3µм. Температура подложки равнялась 3300C, температура испарителя 521-5230С. На поверхность слоя CdSe по специально отработанной методике наносился слой CdTe. Температура подложки составляла 370-4000С, а температура испарителя 510-5170С, толщина слоя была равна 12-25 µм. Особенностью процесса изготовления гетероперехода является обработка всего полученного образца в растворе СdCl2 c последующим отжигом на воздухе при температуре 4500С в течение 30 минут. Затем гетеропереходы тщательно промывали, высушивали и на поверхность CdTe наносили слой омического контакта, которым служил слой Ni. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов СdSe-CdTe измеряли при интергральном и монохроматическом излучениях. Была получена достаточно большая серия гетеропереходов CdSeCdTe, в которых варьировалась толщина слоев CdSe и CdTe. Затем все полученные образцы, представленные в таблице, были протестированы в режиме работы солнечного элемента.Исследованы спектральные зависимости тока короткого замыкания (Рис.2).На рисунке видно, что область спектральной чувствительности гетероперехода CdSe-CdTe находится в интервале 0,50-0,86 µm. Причем, область постоянной фоточувствительности широкая, и в фотоответ вносят вклад оба контактирующих материала – как CdSe, так и CdTe. Коротковолновый спад фототока контролируется технологическими условиями изготовления гетероперехода и толщиной контактирующих материалов.Изучены зависимости энегретических параметров гетероперехода от мощности падающего монохроматического излучения. Облучение проводилось лазером с длиной волны 532 нм.Зависимость тока короткого замыкания от мощности падающего излучения линейна в широком интервале интенсивности освещения, и величины хорошо контролируемы приборами, следовательно – данный гетеропереход может быть использован в качестве фотоприемника низких интенсивностей излучения. Проведен расчет квантовой эффективности для гетероперехода СdSe-CdTe. Максимальное значение квантовой эффективности достигает значения 0,68. Такие расчеты были проведены для всего спектра интенсивностей облучения и замечено, что с ростом интенсивности облучения коэффициент квантовой эффективности незначительно падает. Проведенный комплекс исследований фотоэлектрических свойств гетеропереходов СdSe-CdTe показал, что они обладают достаточно высокими фотоэлектрическими параметрами и могут использоваться как в качестве фотоприемников видимого спектра излучений, так и в качестве солнечных элементов.