Problema comportării elementelor din grupa de tranziţie, ca dopanţi, în diferite combinaţii cu proprietăţi de semiconductoriБ este actuală atât din punct de vedere teoretic, cât şi aplicativ. Particularităţile proprietăţilor fizice ale antimonidului de galiu masiv dopat cu fier în diferite concentraţii sunt discutate în lucrările [1, 2].În lucrarea dată, se prezintă analiza unor particularităţi ale proprietăţilor fizice ale peliculelor de antimonid de galiu dopate cu fier obţinute prin metoda descărcărilor electrice de impuls pe substraturi orientate de siliciu. Prin metoda topirii zonale modificată s-au obţinut monocristale masive de antimonid de galiu dopat cu fier în concentraţii de până la 3% atomare. Schema instalaţiei pentru obţinerea peliculelor este prezentată în Fig. 1a şi 1b. Pe anod se aranjează masivul respectiv ce urma să fie pulverizat prin descărcări electrice de impuls. Pulberea de antimonid de galiu dopat se depune pe un substrat de siliciu cu orientarea ‹111›, temperatura căruia se regla în intervalul (200÷300)°C. Efectele mecanice studiate preliminar confirmă o calitate satisfăcătoare a peliculelor. Camera de depunere a peliculelor era umplută cu argon spectral. Studiul structural al peliculelor confirmă că structurile aciculare de altă fază se depun în planul peliculei. Am demonstrat că clusterile au structura chimică FeGa3. Calitatea peliculelor depinde de intensitatea câmpului electric de pulverizare.În Figura 2 sunt prezentate unele fragmente ale spectrelor de fotoconducţie pentru diferite pelicule cu diferite concentraţii ale dopantului, înregistrate pentru temperatura de 2K în lipsa câmpului magnetic exterior. Spectrul 1 este înregistrat pentru antimonidul de galiu nedopat, următoarele spectre sunt pentru antimonidul de galiu dopat cu fier în concentraţii: spectrul 2 cu concentraţia fierului 1% atomar, spectrul 3 cu 2% atomare şi spectrul 4 cu 3% atomare. Forma spectrelor prezentate în această figură ne confirmă calitatea satisfăcătoare a peliculelor. În Figura 3 sunt prezentate în comparaţie fragmentele spectrelor de fotoluminescenţă şi fotoconducţie pentru aceleaşi pelicule înregistrate la temperatura de 2K. Fâşia de fotoluminescenţă este impuritară, fierul formează în antimonidul de galiu un nivel acceptor cu o energie de localizare ~22meV. Analiza comparativă prezentată în această figură o dată în plus demonstrează caracterul impuritar al rezultatelor experimentale discutate. Concluzii: 1. Prin metoda descărcărilor electrice de impuls s-au obţinut pelicule de antimonid de galiu dopat cu fier în diferite concentraţii. 2. S-au analizat spectrele de fotoconducţie şi de fotoluminescenţă pentru pelicule de antimonid de galiu dopat cu fier în diferite concentraţii. 3. S-a determinat energia de localizare a fierului ca acceptor în antimonidul de galiu.