Straturile subțiri de ZnSxSe1-x au fost preparate din tehnica evaporării în vid, pe substraturi de sticlă, folosind pulberi de ZnS și ZnSe. Rezultatele XRD, SEM, AFM și EDAX au stabilit că straturile respective au o structură cubică, de tip blendă de zinc, cu o puternică orientare a cristalitelor după planul cristalin (111). Morfologia suprateţei este uniformă, iar straturile sunt compacte şi înalt stoichiometrice. Spectrele de transmisie ale straturilor subţiri de ZnSxSe1-x au fost înregistrate în domeniul spectral 330-1750 nm, utilizând spectrofotometrul de tip HITACHI U-3400. Indicele de refracţie al straturilor subţiri a fost determinat din spectrele de transmisie folosind metoda ,,anvelopei” propusă de R.Swanepoel 1, 2. Etapele de calcul ale indicelui de refracţie pentru straturile subţiri de ZnSxSe1-x au fost următoarele: a) calcularea indicelui de refracţie a suportului, ns, din spectrul de transmisie a acestuia, Tsup = f() cu ajutorul relaţiei [1, 2]: 1/2 2 sup sup S 1 T 1 T 1 n            ; (1) b) trasarea înfăşurătorilor minimelor şi maximelor de interferenţă în spectrul de transmisie al unui strat subţire T = f() şi determinarea pentru fiecare lungime de undă a unor perechi de valori TM şi Tm; c) calcularea coeficientului N folosind relaţia: N= 2 n 1 T T T T 2n 2 S M m M m S      . (2) d) calcularea valorilor lui n cu ajutorul formulei: n = N + ( N2 – nS 2 ) 1/2  1/2 , (3) În Fig. este reprezentată dispersia indicelui de refracţie a straturilor subţiri de ZnSxSe1-x. În funcţie de creşterea concentraţiei de S şi micşorarea concentraţiei de Se, indicele de refracţie al straturilor respective creşte de la 2,80 (pentru proba x = 0,2) până la 2,95 (pentru proba x = 0,8). Aceste valori sunt în bună corcordanţă cu cele indicate în literatura de specialitate pentru cristalele de ZnSe şi ZnS [3, 4]. În modelul unui singur oscilator [5] dispersia indicelui de refracţie în domeniul de transparenţă (pentru energii ale fotonilor mai mici decât lărgimea benzii interzise) poate fi descrisă prin relaţia:n 1    , (4) în care E0 este un parametru a cărui valoare este egală cu aproximativ dublul lărgimii benzii interzise (E0  2Eg), iar Ed este un parametru de dispersie. 600 650 700 750 800 850 900 950 1000 1050 1100 2,75 2,80 2,85 2,90 2,95 x=0,2 x=0,4 x= 0,6 x = 0,8 n  [nm] ZnSxSe1-x 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 Fig. Dispersia indicelui de refracţie pentru straturile subtiri de ZnSx Se1-x În lucrare se analizează dependenţa 1/(n-1 – 1) = f(h) 2 pentru un strat subţire de ZnS0,5Se0,5 depus pe sticlă. Din panta dependenţei liniare se obţin valorile respective ale lui Ed şi E0. Într-un tabel separat sunt ilustrate aceste valori şi pentru alte straturi subţiri de tip ZnSxSe1-x.