A fost elaborată tehnologia de depunere în vid a straturilor subţiri din sistemul As-Se-S într-un câmp electrostatic de tensiune înaltă. Experimental este arătat că straturile subţiri de semiconductori calcogenici sticloşi obţinute prin metoda evaporării termice în vid în prezenţa câmpului electrostatic de intensitate înaltă au o eficacitate difracţională de ordinul +1 sporită, în comparaţie cu cele obţinute în absenţa câmpului.

Vacuum deposition of thin layers of the As-Se-S system into a high voltage electrostatic field was elaborated. Experi-mentally it was shown that thin layers of glass chalcogenic semiconductors obtained by the vacuum evaporation method in the presence of the high intensity electrostatic field have an increased diffractive efficiency in comparison with the same samples obtained in the absence of the electrostatic field.